2011级模电期末复习资料.pdf

《2011级模电期末复习资料.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、期末模电考试题型及复习题（1）选择题8题，20空，没空1.5分，共30分（2）填空题10空，每空2分，共20分（3）非客观题共7道大题，共50分下面的复习题非常重要，请同学们必须自己能够独立完成这些题目的求解。小题目：1．NPN和PNP型晶体管的区别取决于___D_A、半导体材料硅和锗的不同，B、掺杂元素的不同，C、掺杂浓度的不同，D、P区和N区的位置不同。2．N沟道和P沟道场效应管的区别在于_C___A、衬底材料前者为硅，后者为锗，B、衬底材料前者为N型，后者为P型，C、导电沟道中载流子前者为电子，后者为空

2、穴。3.随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度__A__，而多数载流子的浓度__C__。A、明显增大，B、明显减小，C、变化较小4.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C___，而少数载流子的浓度与__A__关系十分密切。A、温度，B、掺杂工艺，C、杂质浓度5.在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而__A__；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而__B__。A、增大，B、减小，C、不变6.已知二极管的反向击穿电压为300V，当V=100

3、V、温度为20℃时，I＝1μA。(1)．当V降低到50V，则I约为____。A、0.1μA，B、0.5μA，C、1μA，D、2μA(2)．当V保持100V不变，温度降低到10℃，则I约为____。A、0.1μA，B、0.5μA，C、1μA，D、2μA(3)．该二极管在反向电压为200V的电路中使用是____。A、安全的，B、不够安全的答案C

4、B

5、B7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示。1．在25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是

6、多大？2．温度T1是大于25℃还是小于25℃？答案1．死区电压约为0.2V反向击穿电压约为70V反向电流约为5μA2．T1大于25℃8.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示。1．在25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？2．温度T1是大于25℃还是小于25℃？答案1．死区电压约为0.5V反向击穿电压约为160V反向电流约为1μA2．T1小于25℃9.晶体管的共射交流电流放大系数β定义为_________________与____

7、_____________之比，共基交流电流放大系数α定义为________________与________________之比。已知某晶体管的α＝0.99，那么该管的β=_______99__________。答案IC变化量（或ΔIC）IB变化量（或ΔIB）IC变化量（或ΔIC）IE变化量（或ΔIE）β=α/(1-α)=9910.晶体管的共射直流电流放大系数β近似为________________电流与_____________电流之比，共基直流电流放大系数α近似为________________电流与_

8、______________电流之比。已知某晶体管的β＝50，那么该管的α=_______0.98_________。答案集电极（或IC）基极（或IB）集电极（或IC）发射极（或IE）α=β/(1+β)=0.9811.已知某N沟道结型场效应管的夹断电压UofforUP＝-5V。下表给出四种状态下的UGS和UDS的值，判断各状态下管子工作在什么区，用A、B、C填入表内。A、恒流区，B、可变电阻区，C、截止区。状态1234UGS/V0－2－2－6UDS/V44210工作区答案ABABCUGS

9、截止区，UPUP预夹断，处于可变电阻区，12.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A的输出电压比B的大。这说明A的_______B_______比B的______D__________。A、输入电阻，B、输出电阻C、大，D、小13.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A

10、的输出电压比B的小，这说明A的________A_______比B的_____D___________。A、输入电阻，B、输出电阻C、大，D、小14.某直接耦合放大电路在输入电压为0.1V时，输出电压为8V；输入电压为0.2V时，输出电压为4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为______C__________。A、80B、40C、－40D、2015.A、共射组态，B、共集组态，C、共基