常见IGBT模块失效情况的分类.pdf

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1、嘉兴斯达半导体有限公司STARPOWERSEMICONDUCTORLTD.2010—05—20常见IGBT模块失效情况的分类陈浩IGBT模块因应电力电子技术的迅速发展目前已经得到广泛应用，但部分模块在实际应用中也不可避免的出现了失效现象。本文简要的对模块失效的成因进行分类，主要涉及模块过温、过电压、机械损伤、器件问题造成IGBT模块的失效。Å模块和散热器之间安装不够紧密。Ç散热器表面平整度差。É导热硅脂不足、过量或则不均匀。散热性不佳④风扇老化导致转速减小或者停转。⑤散热器体积过小⑥环境温度过高。过温Å驱动电压不足，导致饱和压降增加。Ç模块

2、开关频率过大É门极驱动电阻过大，导致开关损耗功耗过大增加。④过电流（过载等）Ⅰ.死区时间不足⑤短路Ⅱ.驱动信号误动作1ApplicationNoteAN9004V0.0嘉兴斯达半导体有限公司STARPOWERSEMICONDUCTORLTD.①模块的余量不足，导致电源电压超过模块的最大承受电压。②制动单元设计无法匹配或失效，总线直流电压出现异常攀升。集电极过电压③母线寄生电感过大④控制信号异常⑤开通速度过快过电压⑥雷电浪涌Å门极驱动供电异常Ç门极回路异常É雷电浪涌电压门极过电压④门极电压发生振荡⑤门极静电击穿⑥开关速度太快导致门极电压抬升2

3、ApplicationNoteAN9004V0.0嘉兴斯达半导体有限公司STARPOWERSEMICONDUCTORLTD.①模块主端子使用的螺栓过长导致端子的底部结构损坏。②主端子与外接器件之间的瞬间扭力过大。③模块和散热器之间的紧固扭力过大。机械损伤④模块和散热器之间紧固扭力的不平衡导致模块绝缘基板的变形。⑤焊接温度太高且时间太长,导致IGBT模块内部焊接点上的焊锡融化。①IGBT芯片制造缺陷器件问题②模块制造缺陷3ApplicationNoteAN9004V0.0