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《普通晶闸管 可控硅 整流管混合模块 MFA800A1600V.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、MFA800A特点1).芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压2).全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力3).体积小,重量轻典型应用IT(AV)800A1).交直流电机控制VDRM/VRRM600~1800V2).各种整流电源I16A×103TSM3).变频器I2t1280A2S*103主要参数符号参数测试条件结温参数值单位Tj(℃)最小典型最大IT(AV)通态平均电流180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃125800AIT(RMS)方均根电流1251256AVDRM断态重复峰值电压VDRM&VRRM
2、tp=10ms1256001800VVRRM反向重复峰值电压VDSM&VRSM=VDRM&VRRM+200VIDRM断态重复峰值电流VDM=VDRM12540mAIRRM反向重复峰值电流VRM=VRRMITSM通态不重复浪涌电流10ms正弦半波16.0KA125I2t浪涌电流平方时间积VR=0.6VRRM1280A2s*103VTO门槛电压0.80V125rT斜率电阻0.42mΩVTM通态峰值电压ITM=2400A251.86Vdv/dt断态电压临界上升率VDM=67%VDRM125800V/μsITM=1600A
3、,门极触发电流幅值IGM=1.5A,di/dt通态电流临界上升率125100A/μs门极上升时间tr≤1μsIGT门极触发电流30200mAVGT门极触发电压VA=12V,IA=1A251.03.0VIH维持电流20200mAVGD门极不触发电压At67%VDRM1250.2VRth(j-c)热阻抗(结至壳)180°正弦波,单面散热0.054℃/WViso绝缘电压50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(MAX)2500V安装扭矩(M12)14N·mFm安装扭矩(M8)12N·mTstg贮存温度-401
4、25℃Wt质量外形为701F3500gSize包装盒尺寸200×82×100(1只装)mm普通晶闸管、可控硅整流管混合模块1/3MFA800A性能曲线图PeakOn-stateVoMTC800ltageVs=@.PeakOn?>-stateCurrentMax.junctionTocase0.05Therma4iImpedanceVs.Time0.0650.05TJ=125ÉC4/W,VC0.04,ÉTM3thVZᡫ0.0320.02ⶀᗕ⛁䰏䗮ᗕዄؐ⬉य़10.01000.0010.010.1110100100010
5、000䗮ᗕዄؐ⬉⌕ITM,Aᯊ䯈t,SFig.1䗮ᗕӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓Fig.2㒧㟇ㅵⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓Max.PowerDissMTCipatio800nVs=>.MeanOn-stateCurrentMax.caseTemperaturMTC800eVs.Mea=>nOn-stateCurrent1600140180120120W9001800180ax),120060CÉ)100(mConductionAngleConductionAngleT(AV)30c,(max80PT80060ㅵ⏽ᑺ40᳔䗮ᗕࡳ㗫4002
6、030609012018000030060090002004006008001000䗮ᗕᑇഛ⬉⌕IT(AV),A䗮ᗕᑇഛ⬉⌕IT(AV),AFig.3᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓Fig.4ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓Max.PowerDissMTC800ipation=>Vs.M?>eanOn-stateCurrentMax.caseTemperatMTC800ureVs.M=>eanOn-stateCurrent1200140360270DC3601000180120,W)120axCÉ100m(800Condu
7、ctionAngle90ConductionAngleax),(AV)60m80T(P600cT3060400ㅵ⏽ᑺ40᳔䗮ᗕࡳ㗫20020306090120180270DC0002004006008001000030060090012001500䗮ᗕᑇഛ⬉⌕IT(AV),A䗮ᗕᑇഛ⬉⌕IT(AV),AFig.5᳔ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓Fig.6ㅵ⏽ᑺϢ䗮ᗕᑇഛ⬉⌕݇㋏᳆㒓2128016SurgeCurr16entVs.CyclesItVs.Time181500161300S214A3,KAM101100t
8、,ITS2I1290010700䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕8⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈⿃650043001101001ᯊ䯈t,ms10਼⊶᭄n,@50Hz2Fig.7䗮ᗕ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓Fig.8It⡍ᗻ᳆㒓普通晶闸管、可控硅整流管混合模块2/3MFA800AGatecharacteristicat25ÉCjunctiontemperatureGateTriggerZon3V