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《P型掺杂BaSnO_3的电子结构和光学性能的第一性原理研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第42卷第2期人工晶体学报Vol.42No.22013年2月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSFebruary,2013P型掺杂BaSnO的电子结构和光学性能的3第一性原理研究11,2胡诚,谭兴毅(1.湖北民族学院理学院,恩施445000;2.西北工业大学理学院,凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,西安710129)摘要:基于密度泛函理论,计算了Y以及In掺杂BaSnO3的稳定性、电子结构和光学性质。结果表明Y以及In掺杂BaSnO3体系结构稳定,且均为p型透明导电材料,在可见光区透过率大于85%,且Y以及In掺杂BaSnO3体系的导电性明显得
2、到了改善。关键词:透明导电材料;电子结构;光学性质中图分类号:O469文献标识码:A文章编号:1000-985X(2013)02-0355-05First-principleStudyonElectronicStructureandOpticalPropertiesofP-typeDopedBaSnO311,2HUCheng,TANXing-yi(1.SchoolofScience,HubeiUniversityforNationalities,Enshi445000,China;2.ShannxiKeyLaboratoryofCondensedMatterS
3、tructuresandProperties,SchoolofScience,NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xi'an710129,China)(Received6September2012,accepted2October2012)Abstract:Basedondensityfunctionaltheorycalculations,theelectronicpropertiesandopticalpropertiesofYandIndopedBaSnO3wereinvestigated.Thecalculatedr
4、esultsrevealthatduetotheholedoping,theFermilevelshiftsintovalencebandsandthesystemshowsp-typedegeneratesemiconductorfeatures.Atthesametime,thedensityofstates(DOS)ofthetwosystemsshifttowardshighenergiesandtheopticalbandgapsarebroadened.Theopticaltransmittancewashigherthan85%inthevisi
5、blerangeforYandIndopedBaSnO3systems.Keywords:transparentconductivematerial;electronicstructures;opticalproperties1引言透明导电氧化物(TCO)薄膜由于同时具有很小的电阻率和在可见光区很高的透过率,而被广泛应用于[1-4][5,6][7][8,9][10][11,12]薄膜晶体管、电致变色器件、气敏元器件、平板显示器、抗静电涂层、太阳能电池等领域。常见的TCO薄膜有锡掺杂In2O3(ITO)玻璃、铝掺杂的ZnO(AZO)、锑掺杂SnO2(ATO)等材
6、料。这些材料晶体结构都较为复杂,并多以多晶或者非晶存在,而且性质也局限于光、电性能。另一方面,ABO3型化合物由于具有简单的钙钛矿晶体结构和丰富的物理特性,如巨磁电阻性、高温超导电性、铁电性、磁电效应等,[13,14]引起了人们极大的研究兴趣。在薄膜器件制备中,两层薄膜之间由于晶胞参数、界面和材料的兼容性收稿日期:2012-09-06;修订日期:2012-10-02基金项目:国家自然科学基金(61078057,51172183,51202195);湖北民族学院博士人才基金;湖北民族学院博士科研启动基金作者简介:胡诚(1965-),男,湖北省人,副教授。E-ma
7、il:enshihucheng@163.com356人工晶体学报第42卷等问题,不可避免的会出现界面缺陷,而这些缺陷会给器件性能带来不利的影响。如果各层薄膜都具有相似的结构,那么可以很好的解决界面匹配问题,使得薄膜之间相互外延生长,使得器件性能显著提高,并可能出现一些新的功能。因此,寻找和制备具有钙钛矿结构的TCO材料对全光电子器件具有重要意义。室温时[15][16]BaSnO3具有立方钙钛矿结构,其晶格常数a=0.4123nm,并在1000℃依然具有很好的热稳定性。未3掺杂的BaSnO3为n型宽带隙半导体材料,其禁带宽度为3.4eV,电阻率在10Ω·cm以上
8、,是一种好的绝缘材料。近年来,以印度科
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