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时间:2020-04-02
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1、高效率光伏逆变器应用的创新拓扑介绍InnovativeTopologiesforHighEfficientSolarApplicationsMichaelFrischVincotechGermanyErnoTemesiVincotechHungary吴鼎VincotechChina韩军VincotechChina摘要:由于太阳能电池板效率瓶颈的存在,人们对于光伏太阳能逆变器效率是特别的关注,效率已经是光伏太阳能逆变器最重要的衡量指标。本文详细介绍了一种高效光伏逆变器拓扑,并针对此拓扑介绍Vincotech公司的太
2、阳能专用模块以及通用的驱动设计。关键词:高效率光伏逆变器功率器件驱动电路Abstract:Becauseofthebottleneckofthephotovoltaicpanel’sefficiency,peoplepaymoreattentiontotheefficiencyofsolarinverters.Efficiencyisthemostimportantfactorofsolarinverters.Thisarticledescribesahighefficienttopologyofsolarinv
3、erters,theuniquepowermodulesofVincotechforsolarinvertersandthedesignofdrivecircuit.一前言由于厂家都朝着高效率的目标赛跑,在发展新兴的电力电子变换产品中,高效率拓扑越来越多的被人们拿来考虑。先进的、且有严格效率要求的功率模块技术的应用,使得一些老的众所周知的想法重焕新生。在这片文章中,详细介绍了适用于新型光伏逆变器的MOSFET-IGBT并联技术及其采用这种技术的功率模块。大家知道,MOSFET相对于IGBT,无论轻载还是重载都具有
4、较小的开关损耗。在导通损耗方面,MOSFET轻载时导通损耗较小,重载时较大;而IGBT则刚还相反。基于以上原因,MOSFET和IGBT的结合,将带来两个方面的基本改善。重载的时候,开关损耗集中在MOSFET上,导通损耗集中在IGBT上;轻载的时候,开关和导通损耗都集中在MOSFET上。(图1)图1:MOSFET-IGBT并联开关对于MOSFET-IGBT并联开关,它的工作原理其实十分简单。MOSFET先开通,后关断,这样整个开关损耗都将集中在MOSFET上。(图2)导通损耗方面,轻载的时候,由于MOSFETRds
5、(on)较小,MOSFET承受大部分电流;反之重载的时候,IGBT承受大部分电流。在轻载的时候,由于IGBT没有完全导通,在整个功率段内拖尾电流损耗都可以有效的去除。因此,采用这种拓扑,使得提升整个功率段效率以及最大效率成为可能。IGBTMOSFET图2:MOSFET-IGBT并联开关工作示意图二门极驱动设计刚才我们提到MOSFET-IGBT并联开关工作的基本原理,对于这样的时序控制,以下几种不同的驱动可以采用。1.两路独立的驱动信号分别驱动MOSFET和IGBT此种电路采用具有两路独立驱动的IC来做驱动电路,常
6、用的可以采用IXDN402。它具有最大的灵活性和最优的驱动效果。通过控制MOSFET关断时的延时,可以发掘出这种开关的最大效率优势。它的缺点也是显而易见,电路复杂,成本较高。2.单一驱动信号分出两路独立回路分别驱动MOSFET和IGBT(图3)此种电路从驱动IC单一输出端分出两路独立的驱动电路,通过调节驱动电阻阻值的大小,来实现MOSFET先开通,后关断。图3:单一驱动器分出两路独立驱动回路3.单一驱动器且单路门极直接连接驱动MOSFET和IGBT(图4)这种办法可以通过以下图3的驱动电路来实现。MOSFET的门
7、极驱动电路有的集成在模块内部,它相比于图3中的独立驱动回路电路,动态响应会稍差一点。图4:单一驱动器且单路门极连接驱动MOSFET和IGBT4.直接连接采用直接连接的驱动方式也是可能的。采用标准的门极驱动电路,只能有效的减少开通损耗,并不能有效减少关断损耗。不过这也可以明显的降低总的开关损耗。为了减小关断损耗,可以采用三电平的门极驱动信号,并且采用门极开启电压较高的IGBT器件。IGBT在驱动信号的第二级电平出现的时候关断,这样在门极驱动电压从第二级电平到0V之前,MOSFET将承受功率回路电流。此种设想的引入条
8、件是IGBT和MOSFET具有相对较大的门极开启电压容差。三创新拓扑的设想MOSFET-IGBT并联开关想法适合于所有以IGBT和MOSFET为功率器件的拓扑中。针对IGBT的拓扑,它有明显的开关损耗;而针对MOSFET的拓扑,它又具有明显的静态导通损耗。所有,采用这种MOSFET-IGBT并联开关,对于效率的改善具有重要的意义。对于光伏逆变器,人们可能对以下拓扑更感兴趣
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