太阳能光伏发电应用技术.pdf

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1、太阳能光伏发电应用技术一、选择题[A]1、太阳天顶角为30°时�其相应的大气质量是A.AM1.2B.AM0.5C.AM0.9D.AM2[解]m�sec��sec30�AM1.2z[A]2、连云港地区(北纬34.61°)夏至日中午12点的太阳高度角为A.78.84°B.81.16°C.31.94°D.101.16°[解]��90�(���)�90�(34.61�23.45)�78.84s�春分、秋分赤纬角��0�夏至赤纬角��23.45�冬至赤纬角���23.45�[C]3、春分日时�太阳升起和降落

2、的方位角分别为A.-90.11°�90.11°B.-89.89°�89.89°C.-90°�90°D.无法确定�与纬度有关系sin�sin��sin�s[解]cos���日出、日落时�太阳高度角��0�春分日赤纬角��0。sscos�cos�s�cos��0���90s,0s,0[D]4、当太阳高度角为30°时�由Lane经验公式求水平面上的太阳直射辐射度为2222A.0.9226kW/mB.0.7726kW/mC.1.0938kW/mD.0.3863kW/mcsc�0.6782csc300.67

3、822[解]I�1.367�0.7skWm�1.367�0.7kWm�0.7726kWmn122I�Isin30�0.7726�kWm�0.3863kWmbn2[B]5、北纬45°�春分日时全天的日照时间为A.11hB.12hC.11.95hD.无法确定[解]太阳全天的时角变化�cos���tan�tan��0����90��90ssrss�ss��sr180�日照时间�N���12h�地球每小时转过15角�1515[C]6、试由Cooper方程计算今年6月30日的太阳赤纬角为A.23.45°B.

4、2.13°C.23.12°D.-12.48°n�284182�284[解]��23.45sin(360�)�23.45sin(360�)�23.12365365[C]7、下面哪个不是国际上统一规定的地面太阳能电池的标准测试条件��2A.光源辐照度为1000W/mB.测试温度为25℃C.AM1.0地面太阳光谱辐照度分布D.AM1.5地面太阳光谱辐照度分布[A]8、在大同地区(北纬40.1°�东京113.3°)建一太阳能光伏电站�若所用太阳能电池板方阵高度为2m�方阵最佳倾斜角为45°�则两排方阵之间

5、的最小距离为A.5.673mB.4.259mC.1.414mD.3.011m0.707tan��0.4338[解]d�Lcos��Lssin��Lcos��Lsin��已知�L�2m���45���40.10.707�0.4338tan�1太阳能光伏发电应用技术[D]9、以下说法正确的是��A.对于直接带隙半导体�当入射光子能量小于其禁带宽度时�将不会被该半导体吸收。B.在间接带隙半导体中�电子不可能发生直接跃迁。C.在直接带隙半导体中�电子不可能发生间接跃迁。D.在间接带隙半导体的吸收光谱中存在

6、一肩形结构�而直接带隙半导体中无肩形结构。[A]10、考虑一个特殊的半导体样品�通过计算�已知少子辐射复合寿命为150μs�俄歇复合寿命为50μs�陷阱复合过程的寿命为25μs�假设没有其它的有效复合过程�那么该材料少子的净寿命是A.15μsB.225μsC.1.5μsD.20μs11[解]����15�s�111��150502522[A]11、面积为10cm的硅太阳能电池在100mw/cm光照下�开路电压为600mV�短路电流为400mA�填充因子为0.8�则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为

7、A.19.2℅B.17.6℅C.15.6℅D.20.3℅�3FF�V�I0.8�600�400�10ocsc[解]����19.2%P100�10in4-1[C]12、砷化镓材料对波长为800nm光子的光吸收系数为10cm�则此波长光子通量在砷化镓中减小到它刚进1入半导体时数目的时的深度为(已知������x�x��1��e)20eA.5.5μmB.3μmC.2μmD.0.6μm�(0)�0(1��)12�x222�4[解]���ee�e�x�2x���2�10cm�2�m()(1)��x14�x

8、���e�1002e[C]13、关于反向饱和电流密度�以下说法中错误的是��A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时�反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B.在一定温度下�与Si材料相比�GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度�所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C.p-n结两边掺杂浓度越高�越有利于降低反向饱和电流密度。D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。[D]14、以下有关晶硅