STM32片内FLASH特定地址写入数据不被擦除方法.doc

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1、STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。其中：RAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失性存储器件”。ROM又包含：EEPROM和flash。作为ROM的一份子，flash的特点自然是掉电数据不丢失。但是，flash在STM32中比较重要，程序也是保存在这个地方，所以轻易不让用户进行随意的读写，以避免不必要的问题。1、STM32FLASH操作流程Flash操作已

2、经属于嵌入式设备中很底层的操作了，直接对地址进行存取，简单描述，Flash操作大致需要以下流程：1、确定要写入Flash的首地址（稍后介绍确定地址的方法）2、解锁Flash3、对Flash进行操作（写入数据）4、对Flash重新上锁1.1如何查找并选定要写入Flash十六进制地址值的方法要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。（我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空间，在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖

3、等影响）我此次操作Flash使用的MCU是STM32103C8T6，所以以该型号MCU为例进行描述：在数据手册中，可以看到STM32103C8T6的flash起始地址是0x08000000（如下图所示），而STM32103C8T6的Flash大小为64K，可以计算出STM32103C8T6的Flash地址范围是：0x08000000——0x0800FFFF（计算方法参考另一篇博客：STM32内存大小与地址的对应关系以及计算方法）。这里选取0x0800F000作为读写操作的起始地址，对于C8T6这款MCU，操作这个起始地址应该算是很安全的范围了。主存储器，该部分用来存放

4、代码和数据常数（如const类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为256页，每页2K字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有1K字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000，B0、B1都接GND的时候，就是从0X08000000开始运行代码的2、Flash基本知识点2.1Flash容量Flash根据容量大小可以分为以下三种：1、小容量产品：Flash大小为1-32KB（STM32F10X_LD）2、中容量产品：Flash大小为64-128KB（STM32F10X_MD）3、大容量产品：Flash大小为256KB以上（STM32F10X_HD）2.2

5、ST库对Flash操作的支持ST库中对Flash操作主要提供了以下几类操作API函数：1、Flash解锁、锁定函数voidFLASH_Unlock(void);//解锁函数：在对Flash操作之前必须解锁voidFLASH_Lock(void);//锁定函数：同理，操作完Flash之后必须重新上锁2、Flash写操作函数FLASH_StatusFLASH_ProgramWord(uint32_tAddress,uint32_tData);//32位字写入函数FLASH_StatusFLASH_ProgramHalfWord(uint32_tAddress,uint16

6、_tData);//16位半字写入函数FLASH_StatusFLASH_ProgramOptionByteData(uint32_tAddress,uint8_tData);//用户选择字节写入函数注：这里需要说明，32位字节写入实际上是写入的两次16位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的STM32闪存的编程每次必须写入16位并不矛盾。写入8位实际也是占用的两个地址了，跟写入16位基本上没啥区别。3、Flash擦除函数FLASH_StatusFLASH_ErasePage(uint32_tPage_Address);FLASH_StatusFLASH_Er

7、aseAllPages(void);FLASH_StatusFLASH_EraseOptionBytes(void);4、获取Flash状态FLASH_StatusFLASH_GetStatus(void);获取Flash状态函数，主要是为了获取Flash的状态，以便于根据状态对Flash进行操作。该函数返回值是通过枚举类型定义的，在代码中可以看到FLASH_Status类型定义如下（具体含义看注释即可）：                                                 typedefenum