[计算机软件及应用]第二章-端口.ppt

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1、I/O端口结构8051有4个8位并行接口P0～P3，共有32根线。它们都有双向I/O功能，均可以作为数据输入/输出使用。每个接口内部都有一个8位数据输出锁存器，一个输出驱动器和一个数据输入缓冲器，因此，CPU数据从并行I/O接口输出时可以得到锁存，输入时可以得到缓冲。P0口结构21DQCK/Q读引脚读锁存器写锁存器内部总线地址/数据控制引脚P0.X34VccP0口某位由1个输出锁存器，2个三态输入缓冲器，1个输出驱动电路和1个输出控制电路组成。输出驱动电路由一对FET（场效应管）T1和T2组成。输出控制控制电路由1个与门电路、1个反相器和1个多路开关MUX组成T1T2

2、MUX单片机的引脚（P0口）P0.0—P0.7:双向I/O（内置场效应管上拉）功能1、寻址外部程序存储器时分时作为输出低8位地址和双向8位数据口复用口；功能2、不接外部程序存储器时可作为8位双向I/O口使用。21DQCK/Q读引脚读锁存器写锁存器内部总线地址/数据控制引脚P0.X34Vcc21DQCK/Q读引脚读锁存器写锁存器内部总线地址/数据控制引脚P0.X3400100截止截止=0Vcc单片机的引脚（P0口）P0.0—P0.7:双向I/O（内置场效应管上拉）不接外部程序存储器时可作为8位双向I/O口使用。控制信号＝0，MUX接锁存器，双向口P0口做输出口，输出锁存

3、，漏极开路输出，需外接上拉电阻。P0口中的输出可以驱动8个LSTTL负载。1121DQCK/Q读引脚读锁存器写锁存器内部总线地址/数据控制引脚P0.X3400011截止导通=0Vcc单片机的引脚（P0口）P0.0—P0.7:双向I/O（内置场效应管上拉）1)输出方式P0口做输出口，输出锁存，漏极开路输出，需外接上拉电阻。P0口中的输出可以驱动8个LSTTL负载。0021DQCK/Q读引脚读锁存器写锁存器内部总线地址/数据控制引脚P0.X3400=1截止三态门打开，P0.X上的输入直接送内部数据总线=0Vcc单片机的引脚（P0口）P0.0—P0.7:双向I/O（内置场效

4、应管上拉）输入方式P0口做输入口：悬浮状态，一个高阻抗的输入口。读锁存器，适应“读－修改－写”指令，如ANLP0,A读引脚若锁存器原保存数据Q=0，将使V1导通；P0.X始终为低电平,不能输入’1’信号。因此，在P0口作输入口使用前必须先置1，使T1截止。V121DQCK/Q读引脚=0读锁存器写锁存器内部总线地址/数据控制=1引脚P0.X34控制=1时，此脚作地址/数据复用口：（1）输出地址/数据=0时1011=0导通截止=0Vcc单片机的引脚（P0口）P0.0—P0.7:双向I/O（内置场效应管上拉）控制信号=1,P0口作为地址/数据总线使用.输出:地址/数据,不需

5、要外接上拉电阻输入:数据,通过读引脚完成.21DQCK/Q读引脚=0读锁存器写锁存器内部总线地址/数据控制=1引脚P0.X34控制=1时，此脚作地址/数据复用口：（2）输出地址/数据=1时1100=1截止导通=1Vcc单片机的引脚（P0口）P0.0—P0.7:双向I/O（内置场效应管上拉）寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口。21DQCK/Q读引脚=1读锁存器写锁存器内部总线地址/数据控制=1引脚P0.X34控制=1时，此脚作地址/数据复用口：（3）输入数据时，输入指令将使引脚与内部总线直通Vcc单片机的引脚（P0口）P0.0—P0.7:双

6、向I/O（内置场效应管上拉）寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。P0口的特点1用作I/O口,相当于一个真正的双向口:输出锁存;输入高阻抗缓冲(输入时需先将口置1),每根口线可以独立定义为输入或输出.2用作地址/数据复用总线,为一个准双向口.作数据输入时有上拉电阻,口也不是悬浮状态.作数据总线用时输入/输出8位数据D0-D7.作地址总线用时,输出低8位地址A0-A7.3当P0口用作地址/数据总线后,就再也不能作为I/O口使用.4用作I/O口时与其他口的区别:输出时为漏极开路输出,与NMOS电

7、路接口必须用电阻上拉,才能有高电平输出,输入时为悬浮状态,为一个高阻抗的输入口单片机的引脚（P1口）P1.0—P1.7:准双向I/O口（内置了上拉电阻）只有一种功能：数据的输入/输出P1口与P0口的不同:不再需要MUX,有内部上拉电阻.相同:作输入口时也需要先向其锁存器写入121DQCK/Q读引脚读锁存器写锁存器内部总线Vcc引脚P1.X内部上拉电阻21DQCK/Q读引脚读锁存器写锁存器内部总线Vcc引脚P1.X内部上拉电阻输出数据=1时110截止=1单片机的引脚（P1口）P1.0—P1.7:准双向I/O口（内置了上拉电阻）输出时一切照常，仅在作输入