高电压技术名词解释.doc

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1、高电压技术名词解释polarization电介质的极化：电介质在电场作用下产生的束缚电荷的弹性位移和偶极子的转向位移现象。Electronicpolarization电子位移极化：当外加电场后，电场力将使荷正电的原子核向电场方向位移，荷负电的电子云中心向电场反方向位移,但原子核对电子云的引力乂使两者倾向于重合，当这两种作用力达到平衡时，感应电矩也达稳定，这个过程称为电子位移极化。Ionic-离子位移极化：在由离子结合成的介质内，外电场的作用除了促使各个离子内部产生电子位移极化外，还产生正、负离子相对位移而形成的极化。Orientation^转向极化：当有外电场时，每个分子的固有偶极

2、矩就有转向电场方向的趋势，顺电场方向作定向排列。但是由于受分子热运动的干扰，这种转向定向的排列，只能达到某种程度，而不能完全。随场强和温度的不同，这种转向排列在不同的程度上达到平衡，对外呈现出宏观电矩,这就是极性分子的转向极化。Interface^空间电荷极化：在电场的作用下，带点质点在电介质1移动时，可能被晶体捕捉，或在两层介质的界面上堆积，造成电荷在介质空间中新的分布，从而产生电矩。Dielectricloss介质损耗任何电介质在电场作用下都有能量损耗，包括由电导引起的损耗和由某些极化过程引起的损耗。电介质的能量损耗简称介质损耗。介质损耗角5：为功率因数角©的余角，其正切tg5

3、乂可称为介质损耗因数，常用百分数（％）來表示。介质损耗因数（tg§）是表征绝缘在交变电压作用下比损耗大小的特征参数，它与绝缘体的形状和尺寸无关，它是绝缘性能的基本指标之一。非自持放电：当场强小于某个临界值Ecr时候，电子崩有赖于外界电离因素的原始电离才能持续和发展，如果外界电离因素消失，则这种电子崩也随之逐渐衰减以至消失，称这种放电为非自持放电。self-sustaineddischarge自持放电：当场强大于某个临界值Ecr时，电子崩可以仅由电场的作用而自行维持和发展，不再依赖外界电离的因素,这种性质的放电称为自持放电Electronicavalanche电子崩：外界电离因子在阴

4、极附近产生一个初始电子如果空间的电场强度足够大，该电子在向阳极运动吋就会引起碰撞电离，产生出一个新电子，初始电子和新电子继续向阳极运动，乂会引起新的碰撞电离，产生出更多的电子。依次类推，电子数将按几何级数不断增多，像雪崩似的发展,这种急剧增大的空间电流被称为电子崩。帕邢定律：在均匀的电场中，击穿电压Ub与气体的相对密度、极间距离s的积冇函数关系，只要的乘积不变，Ub也就不变。&电场不均匀数：6?Sf=Emax/EavEmax最大电场强度；Eav平均电场强度。Coronadischarge电晕放电极不均匀电场中，在外加电压下，小曲率半径电极附近的电场强度首先达到起始场强E0,在此局部

5、区域先出现碰撞电和电子崩，甚至出现流注，这种仅仅发生在强场区的局部放电称为电晕放电，在外观上表现为环绕电极表面出现蓝紫色晕光。Volt一timecharacteristics伏秒特性：工程上常用在同一波形，不同幅值的冲击电压作用下，气隙上出现的电压最大值和放电时间的关系，称为该气隙的伏秒特性，表示该气隙伏秒特性的曲线，称为伏秒特性曲线。吸收曲线：在直流电压作用下，流过绝缘的总电流随时间而变化的曲线，称为吸收曲线。Surfacedischarge气隙沿面放电：沿着气体与固体（或液体）介质的分界面上发展的放电现象。flashover闪络：沿面放电发展到贯穿两极，使整个气隙沿面击穿。Ti

6、melagofbreakdown气隙击穿时间：静态击穿电压U0长吋间作用在间隙上能使间隙击穿的最低电压。击穿时间tb——从开始加压的瞬时起到气隙完全击穿为止总的时间称为击穿时间。50%冲击击穿电压（U50%）——指某气隙被击穿的概率为50%的冲击电压峰值。冲击系数B——U50%与静态击穿电压UsZ比称为冲击系数Po均匀和稍不均匀电场下冲击击穿电压的分散性很小，冲击系数极不均匀电场中由于放电时延较长，冲击系数B均大于小桥理论（热击穿）：液体中所含的杂质在电场力的作用下沿电力线排列形成杂质“小桥”。由于组成此“小桥”的纤维及水分等的电导较大，使泄漏电流增大，发热增加，最终造成液体的击穿

7、。Non—destructivetest非破坏性试验（检查性试验）：指在较低的电压下或用其他不损伤绝缘的方法测量绝缘的各种特性，由此判断绝缘内部的缺陷。绝缘电阻和吸收比、泄漏电流、介质损耗角正切、电压分布、局部放电、油屮溶解气体的色谱分析Destructivetest破坏性试验（耐压试验）：指在绝缘上施加高于工作电压的试验电压，直接检验绝缘的耐压水平。交流耐压、直流耐压、冲击耐压Insulationresistance绝缘电阻电介质在加压无穷长时间测得的电阻称为绝缘电