DB34∕T 3154-2018 红叶石楠育苗技术规范.pdf

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1、ICS65.020.20B05DB34安徽省地方标准DB34/T3154—2018红叶石楠育苗技术规范TechnicalSpecificationforSeedlingandCultivationofPhotinia×fraseri文稿版次选择2018-08-08发布2018-09-08实施安徽省质量技术监督局发布DB34/T3154—2018前言本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准由滁州绿泉生态农业有限公司提出。本标准由安徽省林业标准化技术委员会归口。本标准起草单位：滁州绿泉生态农业有限公司、安徽科技学院、安徽省农业科学院农业工程研究所、芜湖市雨田润农业科技股份有限公司

2、、润林建设有限公司、安徽栋基园林绿化有限公司、芜湖祥宽花木有限公司、来安县吴为国家庭农场、安徽永洁环境治理工程有限公司。本标准主要起草人：张远兵、江文林、任杰、雷经洋、吴燕、钱晶晶、张香杨、刘爱荣、雷振亚、尹文亮、王雪娟、沈久祥、吴为国、简兴、张坤、孙华。IDB34/T3154—2018红叶石楠育苗技术规范1范围本标准规定了红叶石楠栽培技术的扦插繁殖、组织培养、景观苗培育及病虫害防治等。本标准适用于红叶石楠育苗栽培与管理。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件

3、。GB6000主要造林树种苗木质量分级GB/T6001育苗技术规程DB34/T2645园林树木栽植技术规范3扦插繁殖3.1扦插环境3.1.1宜在双层棚（遮阳棚、塑料棚）条件下进行。3.1.2遮阳棚高度80～120cm，塑料小拱棚高度30～40cm。3.1.3生根前湿度60％～70％，温度20～25℃；生根后湿度50％～60％，温度25～30℃。3.1.4夏季用70％～75％遮光率的遮阳网控制光照。3.2扦插基质扦插基质由黄心土（或水稻土）和蛭石混合而成，其混合比例为3:1。3.3容器用10×10cm、12×12cm营养钵。3.4扦插时间宜在5月下旬～6月中旬或9月下旬～10月下旬扦插。3.5

4、插穗采集与保存3.5.1选择生长健壮、品种优良母株。3.5.2芽体健壮饱满、无病虫害、中上部枝条。3.5.3不能及时扦插，需放置阴凉处保存，注意保湿，时间不宜超过2天。3.6插穗制作3.6.1将插穗剪成一叶一芽，长度4～10cm；1DB34/T3154—20183.6.2插穗上部采用平切口，上切口在节上方1cm；下部采用斜切口，倾斜角度45°，下切口在节下方1cm处。3.7插穗处理扦插前用IAA：NAA=1:1混合溶液300～500ppm，处理插穗基部1～2cm，速蘸；然后，用70％甲基托布津800～1000倍溶液速蘸插穗基部。3.8扦插扦插深度为插穗的1/2～2/3，浇透水，用双层膜覆盖。

5、3.9插后管理3.9.1生根前，双层棚覆盖，保持温度和湿度。3.9.2生根后，保留遮阳网，撤去塑料拱棚，及时清除病株、杂草。3.9.3成活后，用0.1％复合肥20～30天浇灌1次；同时用70％甲基托布津1000倍液浇灌3次。其他管理应符合GB/T6001的要求。4组织培养4.1培养环境温度25～27℃，湿度30～50％，光强2200～2400Lux，光照时间16h/d。4.2外植体选择选择3～4年生长健壮、品种优良红叶石楠母株，最佳时间为3～4月，选用即将萌发腋芽或嫩叶作为外植体。4.3培养瓶用240ml组培瓶及配套瓶盖，型号为zp21-240。4.4外植体接前处理外植体用自来水冲洗1min

6、，75％乙醇浸泡30s，灭菌水冲洗3次。4.5培养基4.5.1腋芽接种培养基，采用固体琼脂培养基，MS+1.5mg/L6-BA，pH值在6.2～6.5之间。4.5.2叶片接种培养基，采用固体琼脂培养基，MS+0.8mg/L6-BA+0.6mg/LNAA，pH值在6.2～6.5之间。4.5.3继代培养基，采用固体琼脂培养基，MS+2mg/L6-BA+0.4mg/LNAA，pH值在6.2～6.5之间。4.5.4生根培养基，采用固体琼脂培养基，MS+0.6mg/L6-BA+0.5mg/LKT+0.4mg/LNAA，pH值在6.2～6.5之间。4.6常规灭菌。4.7外植体接种4.7.1腋芽接种2DB

7、34/T3154—2018选取饱满腋芽，用10％NaClO浸泡外植体15min，不停搅拌，用无菌水洗净；切除腋芽基部，拨开芽鳞，将腋芽基部插入培养基中，深度为芽鳞的1/3～1/5。4.7.2叶片的接种选取无虫病害新生叶片，叶片切成1cm×1cm小块，叶片背面划2～3刀，叶面正面朝上，轻置于培养基，外植体与培养基密合。4.8继代培养继代培养后25～35d，选取无菌、生长健壮的不定芽，进行继代培养，35～45d继