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时间:2020-03-28
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1、第22卷第1期电力系统及其自动化学报VoI.22No.12010年2月ProceedingsoftheCSU—EPSAFeb.2O1O降栅压技术在MOSFET驱动中的应用杨冬平,王莉,江登宇(南京航空航天大学自动化学院,南京210016)摘要:为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor),在60V/10A固态功率控制器的驱动电路中,设计降栅压短路保护。通过与M0sFET反串的二极管检测短路故障,一旦发生短路,启动短路保护电路,快速降低MOSFET栅源极电压至
2、其开启电压附近,以增大MOSFET漏源极电阻并使其可控,设计电容放电时间,即可按一定速度关断功率管。仿真和实验结果表明,降栅压短路保护技术能在短路发生时迅速关断M0SFET并在关断过程中起到限流、抑制di/dt、增强抗干扰的作用。关键词:金属氧化物半导体场效应管;降栅压;固态功率控制器;短路保护;驱动电路中图分类号:TM581文献标志码:A文章编号:1003—8930(2010)01—0001—04ApplicationofDropGateVoltageTechnologyinMOSFETDriveCircuitYANGDong—ping,WANGL
3、i,JIANGDeng—yu(CollegeofAutomationEngineering,NanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Nanjing210016,China)Abstract:InordertOeffectivelyprotectmetal—oxidesemiconductorfieldeffecttransistor(MOSFET)inthee—ventofshortcircuit,adropgatevoltageshortcircuitprotectionwasdesignedin
4、thedrivecircuitof60V/10Asolidstatepowercontroller.ShortcircuitfaultcouldbedetectedthroughthediodewhichwasinserieswiththeMOSFETreversely.Shortcircuitprotectioncircuitwasstartedoncetheshortcircuitfaultoccurred.Thedriverunitpulleddowngate—sourcevoltagetOtheturn—onvoltagequickly,th
5、usthedrain—sourceresistancewasincreasedandcontrolled.AndtheturnoffspeedoftheMOSFETcouldbecontrolledbydesigningthedis—chargetimeofcapacitor.TheresultofsimulationandtestshowsthefunctionofthedriverunitwiththedropgatevoltagetechnologycanturnoffMOSFETquicklyinshortcircuit,limitcurre
6、ntintheturn—offprocess,in—hibitdi/dtandenhanceanti—jamming.Keywords:MOSFET(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor);dropgatevoltage;solidstatepowercontroller;shortcircuitprotection;drivecircuit功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小讨,介绍了降栅压的短路保护原理,并在实验中验等优点在中小容量的场合得到了广泛的应用,但相证了其在MOSFET短路保护中
7、的实用价值。比于绝缘栅双极型晶体管IGBT或大功率双极型1MOSFET的特性晶体管GTR等,M0SFET管具有较弱的承受短时过载的能力,因而其实际使用受到了限制。如何设1.1MOSFET的导通机理计出可靠和合理的驱动与保护电路,对于充分发挥MOSFET简称MOS管,根据导电沟道的性质MOSFET功率管的优点,起着至关重要的作用,也分为N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和是有效利用MOSFET管的前提和关键。本文对利耗尽型两种Ⅲ。常用N沟道增强型MOSFET,本文用降栅压实现M0SFET管的短路保护进行了探提到的MOSFET也指N沟道增强型,即只有
8、当栅收稿日期:2009一O4—10;修回日期:2009—05—06基金项目:国家973基础研究项目(2007
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