降栅压技术在MOSFET驱动中的应用.pdf

降栅压技术在MOSFET驱动中的应用.pdf

ID:52499908

大小:283.97 KB

页数:5页

时间:2020-03-28

降栅压技术在MOSFET驱动中的应用.pdf_第1页
降栅压技术在MOSFET驱动中的应用.pdf_第2页
降栅压技术在MOSFET驱动中的应用.pdf_第3页
降栅压技术在MOSFET驱动中的应用.pdf_第4页
降栅压技术在MOSFET驱动中的应用.pdf_第5页
资源描述:

《降栅压技术在MOSFET驱动中的应用.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、第22卷第1期电力系统及其自动化学报VoI.22No.12010年2月ProceedingsoftheCSU—EPSAFeb.2O1O降栅压技术在MOSFET驱动中的应用杨冬平,王莉,江登宇(南京航空航天大学自动化学院,南京210016)摘要:为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor),在60V/10A固态功率控制器的驱动电路中,设计降栅压短路保护。通过与M0sFET反串的二极管检测短路故障,一旦发生短路,启动短路保护电路,快速降低MOSFET栅源极电压至

2、其开启电压附近,以增大MOSFET漏源极电阻并使其可控,设计电容放电时间,即可按一定速度关断功率管。仿真和实验结果表明,降栅压短路保护技术能在短路发生时迅速关断M0SFET并在关断过程中起到限流、抑制di/dt、增强抗干扰的作用。关键词:金属氧化物半导体场效应管;降栅压;固态功率控制器;短路保护;驱动电路中图分类号:TM581文献标志码:A文章编号:1003—8930(2010)01—0001—04ApplicationofDropGateVoltageTechnologyinMOSFETDriveCircuitYANGDong—ping,WANGL

3、i,JIANGDeng—yu(CollegeofAutomationEngineering,NanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Nanjing210016,China)Abstract:InordertOeffectivelyprotectmetal—oxidesemiconductorfieldeffecttransistor(MOSFET)inthee—ventofshortcircuit,adropgatevoltageshortcircuitprotectionwasdesignedin

4、thedrivecircuitof60V/10Asolidstatepowercontroller.ShortcircuitfaultcouldbedetectedthroughthediodewhichwasinserieswiththeMOSFETreversely.Shortcircuitprotectioncircuitwasstartedoncetheshortcircuitfaultoccurred.Thedriverunitpulleddowngate—sourcevoltagetOtheturn—onvoltagequickly,th

5、usthedrain—sourceresistancewasincreasedandcontrolled.AndtheturnoffspeedoftheMOSFETcouldbecontrolledbydesigningthedis—chargetimeofcapacitor.TheresultofsimulationandtestshowsthefunctionofthedriverunitwiththedropgatevoltagetechnologycanturnoffMOSFETquicklyinshortcircuit,limitcurre

6、ntintheturn—offprocess,in—hibitdi/dtandenhanceanti—jamming.Keywords:MOSFET(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor);dropgatevoltage;solidstatepowercontroller;shortcircuitprotection;drivecircuit功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小讨,介绍了降栅压的短路保护原理,并在实验中验等优点在中小容量的场合得到了广泛的应用,但相证了其在MOSFET短路保护中

7、的实用价值。比于绝缘栅双极型晶体管IGBT或大功率双极型1MOSFET的特性晶体管GTR等,M0SFET管具有较弱的承受短时过载的能力,因而其实际使用受到了限制。如何设1.1MOSFET的导通机理计出可靠和合理的驱动与保护电路,对于充分发挥MOSFET简称MOS管,根据导电沟道的性质MOSFET功率管的优点,起着至关重要的作用,也分为N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和是有效利用MOSFET管的前提和关键。本文对利耗尽型两种Ⅲ。常用N沟道增强型MOSFET,本文用降栅压实现M0SFET管的短路保护进行了探提到的MOSFET也指N沟道增强型,即只有

8、当栅收稿日期:2009一O4—10;修回日期:2009—05—06基金项目:国家973基础研究项目(2007

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。