电晕对室温硫化硅橡胶憎水性的影响研究.pdf

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1、第37卷第4期华北电力大学学报V0l_37．No．42010年7月JournalofNorthChinaElectricPowerUniversityJu1．，20l0电晕对室温硫化硅橡胶憎水性的影响研究王秋莎，律方成，刘云鹏，梁英(华北电力大学电气与电子工程学院，河北保定071003)摘要：为了研究在电晕备件下室温硫化硅橡胶的憎水性变化，自行搭建了一套加速电晕老化实验装置来模拟实际现场的尖端电晕放电过程，并采用静态接触角法测量和评价硅橡胶材料的憎水性。试验结果表明电晕放电不同时间后硅橡胶表面的憎水性丧

2、失是一个渐进的过程，然而短时电晕后，暂时丧失的憎水性在长时间后可基本恢复到初始值；当仅有电场作用而无电晕放电时，硅橡胶表面的憎水性基本无变化。通过试验证明了加速电晕老化试验装置的有效性。关键词：室温硫化硅橡胶；电晕；憎水性；老化；静态接触角中图分类号：TM85l；TM215文献标识码：A文章编号：1007—2691(2010)04—0014—04Studyontheinfluenceofcoronaonthehydr0ph0bicityofRTVsiliconrubberWANGQiu—sha，LUFa

3、ng—cheng，LIUYun—peng，LIANGying(SchoolofElectricalandElectronicEngineering，NoAhChinaElectricPowerUniversity，Baoding071003，China)Abstract：Asetofself—madeacceleratedcoronaagingequipmentsareusedtosimulatetheprocessofpointcoronadischargetostudythechangeoftheh

4、ydrophobieityofRTVsiliconerubberwhencoronaoccurs．TheStaticContactAn—gleMethodisusedtomeasureandevaluatethehydrophobicityofRTVsiliconerubberTestresultshowsthatthehydro—phobicitylossontheRTVsiliconerubbersurfaceisprogressive．Afterashortperiodofcoronaeffect

5、．thetemporaryhydrophobicitylosscanrecovertoitsoriginallevelinalongtime．Whenthereisonlyelectriceffectwithoutcoronadis—charge，thehydrophobieityofRTVsiliconerubbersurfaceremainsunchanged．Theeffectivenessoftheacceleratedco-ronaagingequipmentISapprovedbythete

6、st．Keywords：RrVsiliconerubber；corona；hydrophobicity；aging；staticcontactangle行研究¨。放电(尤其是电晕放电)是导致合0引言成绝缘子老化的重要因素，也是硅橡胶材料憎水性丧失的主要因素之一。因此，有效地模拟电硅橡胶合成绝缘子具有重量轻、机械强度高晕老化，针对性地开展电晕条件下硅橡胶老化特等优点，特别是其独一无二的憎水性和憎水迁移性的研究，探寻其老化机理，对于科学评估其使性、恢复性，使其在电力系统中得到广泛的应用。用寿命，指导材料配方

7、改进等具有非常重要的理然而，合成绝缘子长期在户外带电运行，会受到论意义和实践价值。日照、冰雪、高湿、温差等自然环境因素的影响，本文运用自行搭建的电晕老化试验装置研究了并且不可避免地会发生电老化。而合成绝缘子老电晕老化对硅橡胶材料憎水性丧失及恢复的影响。化会影响其运行的稳定性，甚至影响电力系统的稳定性，因此有必要对硅橡胶材料的老化问题进1实验部分1．1试验试样的制备收稿日期：2010—04—10采用室温硫化硅橡胶，试样制备尺寸为40第4期王秋莎，等：电晕对室温硫化硅橡胶憎水性的影响研究l5mm×40mm×

8、2．7mm(长×宽×厚)。试验表面1．3电晕老化试验光滑，根据DL／T810—2002进行预处理，先将试验时周围温度为18±2℃，相对湿度为试样置于无水乙醇清洗表面，然后用去离子水35％～45％。(或蒸馏水)冲洗，干燥后置于防尘容器内，在调节针电极到试样表面距离为1mill，通过调实验室标准环境下保存24h后备用。压器调压，观察示波器上的电流变化，得到电晕1．2交流电晕试验装置起始电压约为3kV。若试验施加电压过低，试电晕试验装置图见图1。