栅极电阻对IGBT dudt和didt的影响分析.pdf

栅极电阻对IGBT dudt和didt的影响分析.pdf

ID:52488766

大小:214.48 KB

页数:3页

时间:2020-03-28

栅极电阻对IGBT dudt和didt的影响分析.pdf_第1页
栅极电阻对IGBT dudt和didt的影响分析.pdf_第2页
栅极电阻对IGBT dudt和didt的影响分析.pdf_第3页
资源描述:

《栅极电阻对IGBT dudt和didt的影响分析.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、第46卷第12期电力电子技术Vo1.46,No.122012年12月PowerElectronicsDecember2012栅极电阻对IGBTdu/dt和di/dt的影响分析张红卫,王富珍,高勇,杨媛(1.西安永电电气有限责任公司,陕西西安710016;2.西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西西安710048)摘要:在IGBT关断过程中,过大的du/dt和di/dt将会引起器件的过电流和过电压,从而损坏器件。为了控制IGBT的开关特性.通常在栅极串联电阻,其大小与du/dt和di/dt有直接关系。传统观点通常误认为串联电阻越大。关断过程中du/dt和di/dt越

2、小。针对此问题,基于IGBT器件关断过程的物理机理对栅极串联电阻与d/和di/dt的关系进行了分析,认为对于高电压等级的IGBT器件,随着栅极电阻的增大,其di/dt变化趋势反而会增大。通过对不同电压等级的IGBT器件进行测试,发现测试结果与理论分析一致。因此,选取合适的串联电阻对IGBT的安全使用至关重要.否则有可能因为过大的du/dt或di/dt而导致器件失效。关键词:晶体管;栅极电阻;电压变化率;电流变化率中图分类号:TN32文献标识码:A文章编号:1000—100X(2012)12—0052—03AnalysisoftheEfectsofIGBTGateRe

3、sistanceondu/dtandd//ZHANGHong—wei,WANGFu.zhen,GAOYong2,YANGYuan(1.Xi’anYongdianElectricCo.,Ltd,Xi’an710016,China)Abstract:Intheshutdownprocessofinsulatedgatebipolartransistor(IGBT),largedu/dtanddi/dtwillcauseover·currentandover-vohage,therebydamagingthedevice.Inordertocontroltheswitch

4、ingcharacteristicsofIGBT,usuallyresistanceisconnectedtothegateinseries,andthevalueoftheseriesresistanceafectsthevalueofdu/dtanddi/dtdirectly.rI’}letraditionalviewoftenbelievesmistakenlythattheseriesresistanceisbigger.thedi/dtanddu/dtaresmaller.Inordertosolvethisproblem,basedonthephysic

5、smechanismofIGBTshutdownprocess,therelationshipbetweentheseriesresistanceanddi/dt,du/dtisanalysed,andtheresultsshowthatforthehighvoltageIGBT,withtheincreaseofthegateresistance,thedildtwillincrease.AccordingtothetestofdifferentvoltageIGBT,theresultsareconsistentwiththetheoryanalysis.So,

6、it’SveryimportantforthesafetyofIGBTtoselecttheappropriategatese—riesresistance,oritmayleadtodevicefailureduetolargedi/dtanddu/dt.Keywords:transistor;gateresistance;changerateofvoltage;changerateofcurrentFoundationProject:SupportedbytheNationalKeyScienceandTechnologySpecialProject(No.20

7、11ZX02603);Xi’anScienceandTechnologyProgram(No.CXY1129(5))引言IGBT开通和关断过程中的du/dt和di/dt限制在安全工作区对器件的安全可靠使用至关重要。在IGBT是一种由功率场效应晶体管(MOSFET)IGBT模块的驱动电路中,为了更好地控制IGBT和双极型晶体管(BJT)组成的复合功率器件。它同模块的开关特性,通常在栅极串联电阻。栅极串联时兼顾了两种器件的优点,因此广泛应用在各种电阻的大小直接影响IGBT模块的du/dt和di/dt。电力电子装置中【1J。在IGBT关断过程中。由于动在此从器件关断过

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。