DBD电路模型参数的测量与仿真分析.pdf

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1、研究与开发DBD电路模型参数的测量与仿真分析孙瑞韬(徐州供电公司调度通信中心，江苏徐州221005)摘要为了能够对介质阻挡放电(DielectricBarrierDischarge，DBD)的物理机制有更深入的理解，目前国内外许多学者采用电路模型仿真与实验相结合的方法来对介质阻挡放电进行研究，它们通过结合实际的试验条件，提出了许多不同的电路仿真模型。本文在华中科技大学张庭提出的电路模型基础之上，通过实验和理论计算分别得到了试验装置的介质电容和气隙电容，对该模型进行了仿真，并对仿真结果和试验结果进行了比较。在保持电感和电源频率

2、厂及幅值不变的情况下，讨论了当记忆电阻。和记忆电容。变化时，放电电流从单峰模式向多峰模式的演变规律。并对电流脉冲的变化情况与记忆电阻和记忆电容的关系进行了探讨，以期能够对DBD的放电机理有更深入的理解。关键词：李萨如图(形)；低温等离子体；介质阻挡放电(DBD)；电路模型；记忆电阻记忆电容；放电电流TheParameter-MeasurementandSimulationAnalysisoftheCircuitModel0fDBDSunRuita0(JiangsuXuzhouPowerCompany,Xuzhou，Jiang

3、su221005)AbstraetInordertohaveabetterunderstandingofthephysicalmechanismofDBD，manyscholarsathomeandabroadhasbeenusingthewayofcircuitmodelsimulationtoconductastudyonDielectricBarrierDischarge．Theycombinetheactualtestconditionsandcomeupwithalotofdifferentcircuitsimul

4、ationmodels．ThispaperisbasedonthemodelpropoundedbyZhangTingofHUST．Imeasuredthecapacitanceofthedielectricandthegasgap，thensimulatedonthemodelwithwhathadmeasured．Besides，comparisonbetweenthesimulationresultsandthetestresultswasmade．Idiscussedhowthedischargecurrentsev

5、olutesfromunimodalmodelstomultimoda1modelwiththememoryresistorRmemandthememorycapacitorCmemchangedandtheinductanceL，the~equencyfandamplitudeofthepowersupplyfixedandthendiscussedtherelationshipbetweenchangesofcurrentpulseandthetwoparameters，RmemandCmeminordertohavea

6、be~erunderstandingoftheDBDdischargemechanism．Keywords：lowtemperatureplasma；dielectricbarrierdischarge(DBD)；circuitmodel；memoryresistordischargecurrentmemorycapacity在对介质阻挡放电的电路模型和仿真的研究电路来模拟非线性特征。N．Naud~等人提出了二极中，国内外的学者做了很多不同的处理。主要分为管串联RC并联电路构成辅助电路的等效电路。二两类：一类是把气隙电容量看

7、作是变化量：R极管的击穿特性——雪崩击穿与放电过程中的电子Valdivia．Barrientos认为在放电过程中气隙的相对介崩相似，RC并联电路可以用来模拟放电过程中的记电常数随时问变化，根据放电击穿前后，利用开关忆效应。放电发生时，空间电荷通过放电通道聚集切换气隙电容并联支路表征放电过程中电容的变在电介质上，形成空间反向电场，当反向电场增加化；一类是将气隙电容值看作不变量，用其他辅助到一定程度就会使放电停止，但当交流电压反向时，36j电鼍技7lt2o12年第12期研究与开发前一次放电残留的空问电荷对外加电场起着增强的是计算

8、法。根据电容的计算公式与实验装置的尺寸作用，这样二次放电的电压会小于第一次。因此，计算得到理论值。一旦某个位置形成微放电就会在该位置继续形成微对于第一种方法一一李萨如图测量法，其基本放电，即是“记忆效应”。原理如下。N．Naud6提出的模型l】zJ如图1所示。实验室中介质阻挡放电试验系统如