tc4钛合金真空钎焊接头显微组织研究

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1、TC4钛合金真空钎焊接头显微组织研究　　摘要：采用Ag-Cu-Ti钎料对TC4钛合金进行真空钎焊；采用金相分析、扫描电镜对钎缝的组织结构、元素分布情况进行分析，并对焊件的整体力学性能进行拉伸测试。结果表明，TC4合金板真空钎焊搭接接头处抗剪强度在200MPa以上，钎焊接头处总体的力学性能优于母材；钎缝与基体相临的部位析出了弥散相，钎缝处有Cu的固溶体析出；焊接接头中的主要元素Ti、Al、V、Ag、Cu呈规律性分布，钎缝及扩散区域得到以细小笋状的方式生长的Cu基固溶体，是为Ag-Cu共晶组织。Abstract：Vacuumbrazin

2、gofTC4wascarriedoutwithAg-Cu-Tifillermetal.Organizationalstructure，elementdistributionofbrazedjointswereinvestigatedbymeansofscanningelectronmicroscopyandmetallographicmicroscope，andthejointwholemechanicalpropertywasdeterminedbytensiletestingmethod.Theresultsshowthatsh

3、earstrengthforthebrazingjointofTC4titaniumalloyisabove200MPaandwholemechanicalpropertyofthebrazingjointarebetterthanbasemetal.Dispersednetworkphaseformbetweenbasemetaland7brazingseam，andCu-basedsolidsolutionseparateoutinthebrazingseam.Ti，Al，V，AgandCuofthebrazingjointwe

4、reregulardistribution.Ag-Cueutecticstructureofbrazingseamanddiffuseregionweregrownbyslenderandsmallbambooshootsmode.关键词：Ag-Cu-Ti；真空钎焊；显微组织Keywords：Ag-Cu-Ti；vacuumbrazing；microstructure中图分类号：P755.1文献标识码：A文章编号：1006-4311（2013）22-0048-030引言7TC4合金中钛的含量很高，钛是活性很强的金属材料，在高温下容易与

5、N2、H2、O2反应，并同其它许多金属反应生成脆性金属间化合物，在600℃氧与钛发生强烈反应，800℃氧化膜开始向钛中溶解扩散，氮与钛在高温下则形成脆硬的氮化钛，对钛的塑性影响较大，氢的存在则由于γ（TiH2）相析出，也同样使其塑性、韧性降低[1]。采用真空钎焊选择合适的钎料，可以避免高温情况下，氧、氮、氢各种气体元素对TC4合金钎缝性能的影响，从而提高接头的力学性能[1]。在钛及钛合金的焊接中，钎焊适于焊接受载不大或在常温下工作的接头，对于精密的、微型复杂的及多钎缝的焊件尤其适用[2]。在一些钛合金复杂结构、薄壁精密结构的制造工艺

6、中，由于钎焊连接具有独特的优势而愈来愈受到重视，对钛合金用钎料的研究也逐渐成为钎焊领域研究的热点之一[3]。由此，了解TC4钛合金真空钎焊接头微观组织结构及元素分布情况是十分必要的。1试验材料及方法1.1试验材料试验母材采用厚度为1mm的TC4钛合学成分见表1。要得到组织和性能满意的钎焊接头，钎料必须能较好地润湿母材并能填满接头间隙。此外，钎料的焊接温度必须低于TC4的相变温度，否则将引起母材β晶粒长大，从而影响材料的性能。试验用钎料采用Ag基Ag-Cu系钎料Ag-Cu-Ti，其熔化温度为779～820℃。1.2试验方法目前的钎焊技

7、术和钎料所形成的焊件的性能与其原始基体金属的性能水平相差不多。钛合金的本质决定了其钎焊的主要温度和时间局限性。总的来说，使用焊料并在钎焊温度低于β相转变温度时可获得优良机械性能的钛钎焊部件。接头形式：本试验所用的材料为1mm的TC4板材；搭接接头。接头形式见图1。薄件为装配方便，搭边长度L=（4～5）δ；δ——待焊工件厚度[4]。由此得L=4δ=4mm。接头的装配间隙大小是影响钎焊焊缝致密性和接7头强度的关键因素之一。熔态钎料在钎缝中作直线流动，钎缝的毛细能力起很大作用，毛细能力又与钎缝的类型和钎缝间隙的大小有关系。一般说来，钎缝间

8、隙小比间隙大的钎缝的直线流动性更好，但也不是越小越好，钎缝间隙的最佳值在0.01～0.2mm之间，具体数值视母材的种类而定[5]。在不影响钎料填充的前提下，钎焊间隙越小越好[6]。此次试验银基钎料，钛合金焊接装配间隙取为0.05mm。