射频同轴连接器反射特性测量方法探讨.pdf

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1、第3期2016年6月机电元件ELECTROMECHANICALCOMPONENTSV01．36No．3Jun．2016射频同轴连接器反射特性测量方法探讨周大敏，马乃祉(中国电子科技集团公司第40研究所，安徽蚌埠，233010)摘要：射频同轴连接器反射特性的检验方法有很多种，随着智能化测量仪器的成熟，使用具有时域功能的矢量网络分析仪(VNA)，用“门控”时域法对单个射频同轴连接器反射特性的测量方法为业内所采用。而如何选择“门控”的位置，对测量结果有较大的影响。本文通过典型产品实测结果，进行分析和对比，提出“门控”位置设置的建议，供同行参考。关键词：射频同轴连接器；反射特性

2、；检验方法Doi：10．3969／j．issn．1000—6133．2016．03．012中图分类号：TN784文献标识码：A文章编号：1000—6133(2016)03—0003—071“门控”时域法简述“门控”时域法测量射频同轴连接器的反射特性(反射损耗、电压驻波比)最早出现在IEEE的标准中(IEEEstd287—2007)，而IEC61169最近几版都提到了“时域法”，但未见具体试验方法。IEEE标准中对精密连接器(GPC和LPC)反射特性进行测试时连接器“应配接空气线”进行测试，而且采用单端口测量，“由于在测量通道中不使用柔软或半柔软电缆，所以精度较高”。其方

3、法1就是VNA(矢量网络分析仪)门控时域。测量装置框图如图1所示。VNAW厂rDIGPCLPCGPCI—PcI-PcGA7rEDCONNECT011PAIR图1GPC／GPC连接器反射测量装置该方法是针对GPC一带低反射绝缘支撑的通用精密连接器，它们的界面共有8种，都是空气介质，而且都有测量用的校正件、转接器，搭建系统很方便。对于2级、1级通用射频同轴连接器，不是与GPC同型号(即使同型号一般也要接一个0级的收稿日期：2016—05—07转接器保护)的通用连接器，就必须加接一个标准试验连接器，才能搭建测试系统，如图2所示。“门控”时域法是在图2测量系统校正完成后，将频域

4、转到时域，并打开“门功能”，将“门”分别设置到被测连接器的基准面(图3中0)和配接其他传输线的截面(图3中A)，即被测同轴射机电元件2016年频连接器的同轴结构段，见图3所示。bP0①>_-]g戆GPC0：XX0GPC＆j。鱼，A戆}x{卜旦—兮堕銎悃系统校正双连接器法长电缆法注：①、②、③校正件，④、⑥标准试验连接器，⑤被测件(双连接器组件)，⑦被测件配接长电缆，⑧50u负载S<1．3。图22级、l级通用连接器反射测量框图()7+⋯fl。1F逋榴驾．一接k阚划删⋯接>T<，’，—c、∥、＼、、7＼j．∥，，"--L"、一i一7一?、、t图3“门”位置／J；意图。一?℃

5、2被测连接器的制作U?电用“门控”时域法测量被测连接器，本文中做了三种被测组件。1)配接空气线的双连接器组件(见图4中的【’、②)，实样照片见图5。本测试中选取2．92一J一3507为被测件，又有2．92的校正件，其测量框图如图4所示。f卜_]OJ七一■S肌平l—t．一j；⋯西1i了一I-”I国!“系统校正。。。。，。图5配接空气线的双连接器组件双连接器法“。““‘。“⋯”““““⋯∈—————’——————’—————÷————一————上————————————————————14{③}2#双连接器法÷-—斗_金—卜—。——————_J————上——————————

6、————————。j墨b塑I旧姚黜①标准试验转接器：2．4／2．92一KK[GPC／O界面]；②被测件：接模拟电缆(空气线)的双连接器组件；③被测件：接配接电缆(GR3507)的双连接器组件；④被测件：接”选定的最小衰减量为26dB长电缆的单个连接器组件；⑤50n负载。注：0’～A’：“门”的选取范围(见图3)。图4测量系统框图2)配接同轴电缆的双连接器组件(见图4中的③)。实样照片见图6。图6配接同轴电缆的双连接器组件第3期周大敏等：射频同轴连接器反射特性测量方法探讨553)长电缆组件。精选了一根36m长的3507电缆(GR公司)，在>4GHz时，其回波损耗>26dB

7、(见图4中的④)。4)被测件任选2只2．92一J一3507连接器(由镇江蓝箭公司提供)，分别编号为1#、2#。照片见图7。?、{量；：’抽?，。；强掣援阪{l上器图72．92一j一3507连接器3测量系统及测试步骤3．1测量系统测量系统框图见图4，其中VNA选用的是安捷伦E8363C(带时域功能)。设置状态：扫频S11，单端口校正(0、S、L机械校正)；频域范围：0．1GHz～40GHz；时域范围：一lOOps～900ps。3．2测试步骤如图4所示，分别对三种被测件进行测量，测试步骤简述如下：①系统校正。②频域内测得被测件的反射扫频曲线在