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时间:2020-03-27
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1、86传感器与微系统(TransducerandMicrosystemTechnd0gies)2015年第34卷第1O期DOI:10.13873/J.1000-9787(2015)10-0086--04一种适用无源RFID的集成加速度传感器设计陈宏,邓芳明,何怡刚,吴翔(1.华东交通大学轨道交通学院,江西南昌330013;2.合肥工业大学电气与自动化工程学院,安徽合肥230009;3,华东交通大学电子与电气学院,江西南昌330013)摘要:针对射频识别(RFID)与无线传感器网络(WSNs)融合研究的需要,基于0.35mCMOS工艺设计了一种集
2、成加速度传感器。传感器单元采用从单晶硅衬底的背面进行深反应离子刻蚀工艺,背面刻蚀完成后再正面对金属和介质复合层进行各向异性刻蚀。集成电容式传感器接口电路基于锁相环原理,将传感器信号转移到频率域处理,避免了高功耗的A/D转换器的使用,直接完成电容/数字转换。后期测试结果显示:所设计的集成加速度传感器线性度好,稳定性高,功耗低,适合无源RFID及其它超低功耗应用设计。关键词:加速度传感器;射频识别标签;CMOS工艺;接口电路中图分类号:TP212.2文献标识码:A文章编号:1000-9787(2015)10-0086-04’●一-一●一●●一‘D
3、esignoianintegratedaccelerati0nSenS0rt'orpassiveRFIDapplicationCHENHong,DENGFang-ming,HEYi—gang,WUXiang。(1.SchoolofRailwayTracksandTransportation,EastChinaJiaoTongUniversity,Nanchang330013,China;2.SchoolofElectricalEngineeringandAutomation,HefeiUniversityofTechnology,Hefei2
4、30009,China;3.SchoolofElectricalandElectronicEngineering,EastChina:JiaoTongUniversity,Nanchang330013,China)Abstract:Aimingatrequirement0fintegrationstudyofradiofrequencyidentification(RFID)andwirelesssensornetworks(wSN)technology,anintegratedaccelerationsensorisdesignedbase
5、don0.35mCMOSprocess.Sensorunitutilizesdeepreactiveionetchingprocedureonthebacksideofthemonocrystallinesiliconsubstrate,andthenemploysanisotropieetchingonthefrontsideofthemetalanddielectriccompositelayer.Thesensorinterfacecircuitisbasedonphase—lockedlooptheory,conver[s、senso
6、rsignaltofrequencydomainavoidusageofADCwhichhasveryhighpowerconsumptionandachieves~apacitancetodigitalconversiondirectly.Themeasurementresultsprovethattheproposedaccelerationsensorachieveshighperformanceonlinearity,stabilityandpowerconsumption,whichisespeciallysuitableforap
7、plicationonpassiveRFIDandotherultra—lowpowerconsumptionfield.Keywords:accelerationsensor;RFIDtag;CMOStechnology;interfacecircuit0引言接收RFID阅读器发送的无线信号,并经标签内部的整流射频识别(RFID)技术是一种非接触的自动识别技术,器和稳压电路转换为直流电压为后续电路供电。因此,功它通过射频信号自动识别目标对象获取数据,是当前物联耗是无源RFID标签最关键的性能指标,它决定了RFID标网发展的关键技术。RFID
8、标签按照工作方式可以分为有签的最大工作距离。源标签、半有源标签和无源标签三类,其中,无源RFID标电容式加速度传感器具有功率耗散低、灵敏度高、温度签由于无需内置电池
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