硅量子点合成方法的研究进展.pdf

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1、2015年9月化学研究453第26卷第5期CHEMICALRESEARCHhttp：／／hxya．cbpt．cnki．net硅量子点合成方法的研究进展王冠，郭晓锦，邢艳梅，王艺锟，季建伟(1．河南大学化学化工学院，河南开封475004；2．南京大学化学化工学院，江苏南京2100933．陕西理工学院化学与环境科学学院，陕西汉中723001)摘要：与传统的II—vI族和III—V族半导体化合物相比，硅量子点性质独特，不仅无毒无害、环境友好，而且储量丰富，可以大量生产，目前已在光电子学、太阳能转换、生物传感器、荧光探针等方面具有广泛的应用．本文作者对液相合成方法、高温气相还原

2、法和热分解法制备硅量子点进行了综述，并对硅量子点在光电器件领域的应用前景进行了展望．关键词：纳米材料；硅量子点；研究进展中图分类号：O613．72文献标志码：A文章编号：1008—1011(2015)05—0453—07ResearchprogressinthesynthesisofsiliconquantumdotsWANGGuan，，GUOXiaojin，XINGYanmei，WANGYikun，JIJianwei'。(1．CollegeofChemistryandChemicalEngineering，HenanUniversity，Kaifeng475004，H

3、enan，China；2．SchoolofChemistryandChemicalEngineering，NanjingUniversity，Nanjing210093，Jiangsu，China；3．CollegeofChemical&EnvironmentScience．ShaanxiUniversityofTechnology，Hanzhong723001，Shaanxi，China)Abstract：GroupIVsemiconductorsiliconisenvironmentallyfriendlyandinexpensiveincorn—parisonwi

4、thtraditionalII—VIandIII—Vsemiconductormaterials．Siliconquantumdotsalsofindapplicationinoptoelectronics，solarenergyconversion，biologicsensors，photodetectors，etc．Inthispaper，wepresentanoverviewofmethodsforthesynthesisofsiliconquantumdots．Moreover，thefuturedevelopmentsintheapplicationsofsi

5、liconquantumdotsarealsodis—cussed．Keywords：nanomaterial；siliconquantumdot；researchprogress在IVA族中硅中，硅是最重要的元素之一，在可以达到250℃，远大于锗器件的(90℃)．因此，在地壳中是第二丰富的元素，构成地壳总质量的25．7微电子工业中硅是最重要的半导体材料之一l1]．硅，仅次于第一位的氧(49．4)．硅自身即是一种纳米材料可以和硅基微电子器件完全兼容，并且纳半导体材料，可用于制作半导体器件、太阳能电板和米硅有许多不同寻常的光学和电学特性．所以，不集成电路．其禁带宽度为1．

6、11eV，比同主族的锗要管是在基础理论还是在实际应用方面，硅纳米材料大(O．66eV)，因此硅作为器件时结漏电流小且工作都引起了人们的广泛关注．纳米硅具有量子限制效温度高．有研究表明，目前硅器件的最高工作温度应，可以在纳米电子和光学的连接部件、功能部件中发挥极其重要的作用．目前对纳米硅材料领域的研收稿日期：2o15—07—17．究着重于寻找合成纳米硅材料最合适的方法，使其基金项目：河南大学博士科研启动基金(132014l5O)，陕西理工学院形貌和尺寸能够得到有效的控制，进而可以实现大博士启动基金(SLGK'YQD212)．规模的生产，以满足信息、生物、技术、能源、环境等

7、作者简介：王冠(1985一)，男，讲师，研究方向为无机纳米材料．各个方面的需求j．通讯联系人，E—mail：wangguan@henu．edu．cn，jjwlnu@foxmail．corn．半导体量子点是指导电性能介于金属与绝缘体DOI：10．14002／j．hxya．2015．05．002l化学研究，2015，26(5)：453—459第5期王冠等：硅量子点合成方法的研究进展459r25]NE1NERD，CHIUH，KAUZLARICHS．Low—tern—serpyrolysissynthesisandcharacterization