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时间:2020-03-27
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1、2015年9月化学研究453第26卷第5期CHEMICALRESEARCHhttp://hxya.cbpt.cnki.net硅量子点合成方法的研究进展王冠,郭晓锦,邢艳梅,王艺锟,季建伟(1.河南大学化学化工学院,河南开封475004;2.南京大学化学化工学院,江苏南京2100933.陕西理工学院化学与环境科学学院,陕西汉中723001)摘要:与传统的II—vI族和III—V族半导体化合物相比,硅量子点性质独特,不仅无毒无害、环境友好,而且储量丰富,可以大量生产,目前已在光电子学、太阳能转换、生物传感器、荧光探针等方面具有广泛的应用.本文作者对液相合成方法、高温气相还原
2、法和热分解法制备硅量子点进行了综述,并对硅量子点在光电器件领域的应用前景进行了展望.关键词:纳米材料;硅量子点;研究进展中图分类号:O613.72文献标志码:A文章编号:1008—1011(2015)05—0453—07ResearchprogressinthesynthesisofsiliconquantumdotsWANGGuan,,GUOXiaojin,XINGYanmei,WANGYikun,JIJianwei'。(1.CollegeofChemistryandChemicalEngineering,HenanUniversity,Kaifeng475004,H
3、enan,China;2.SchoolofChemistryandChemicalEngineering,NanjingUniversity,Nanjing210093,Jiangsu,China;3.CollegeofChemical&EnvironmentScience.ShaanxiUniversityofTechnology,Hanzhong723001,Shaanxi,China)Abstract:GroupIVsemiconductorsiliconisenvironmentallyfriendlyandinexpensiveincorn—parisonwi
4、thtraditionalII—VIandIII—Vsemiconductormaterials.Siliconquantumdotsalsofindapplicationinoptoelectronics,solarenergyconversion,biologicsensors,photodetectors,etc.Inthispaper,wepresentanoverviewofmethodsforthesynthesisofsiliconquantumdots.Moreover,thefuturedevelopmentsintheapplicationsofsi
5、liconquantumdotsarealsodis—cussed.Keywords:nanomaterial;siliconquantumdot;researchprogress在IVA族中硅中,硅是最重要的元素之一,在可以达到250℃,远大于锗器件的(90℃).因此,在地壳中是第二丰富的元素,构成地壳总质量的25.7微电子工业中硅是最重要的半导体材料之一l1].硅,仅次于第一位的氧(49.4).硅自身即是一种纳米材料可以和硅基微电子器件完全兼容,并且纳半导体材料,可用于制作半导体器件、太阳能电板和米硅有许多不同寻常的光学和电学特性.所以,不集成电路.其禁带宽度为1.
6、11eV,比同主族的锗要管是在基础理论还是在实际应用方面,硅纳米材料大(O.66eV),因此硅作为器件时结漏电流小且工作都引起了人们的广泛关注.纳米硅具有量子限制效温度高.有研究表明,目前硅器件的最高工作温度应,可以在纳米电子和光学的连接部件、功能部件中发挥极其重要的作用.目前对纳米硅材料领域的研收稿日期:2o15—07—17.究着重于寻找合成纳米硅材料最合适的方法,使其基金项目:河南大学博士科研启动基金(132014l5O),陕西理工学院形貌和尺寸能够得到有效的控制,进而可以实现大博士启动基金(SLGK'YQD212).规模的生产,以满足信息、生物、技术、能源、环境等
7、作者简介:王冠(1985一),男,讲师,研究方向为无机纳米材料.各个方面的需求j.通讯联系人,E—mail:wangguan@henu.edu.cn,jjwlnu@foxmail.corn.半导体量子点是指导电性能介于金属与绝缘体DOI:10.14002/j.hxya.2015.05.002l化学研究,2015,26(5):453—459第5期王冠等:硅量子点合成方法的研究进展459r25]NE1NERD,CHIUH,KAUZLARICHS.Low—tern—serpyrolysissynthesisandcharacterization
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