模拟电子线路2.4晶体三极管的伏安特性曲线.ppt

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1、2.4晶体三极管伏安特性曲线伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。IB=f1E(VBE)VCE=常数IC=f2E(VCE)IB=常数共发射极输入特性：输出特性：+-TVCEIBVBEIC+-输入特性曲线VCE=0IB/AVBE/VVBE(on)0.3V10V0V(BR)BEOIEBO+ICBOVCE一定：类似二极管伏安特性。VCE增加：正向特性曲线略右移。由于VCE=VCB+VBEWBWBEBC基区宽度调制效应注：VCE>0.3V后，曲线移动可忽略不计。因此当VBE一定时：VCEVCB复合机会IB曲线右移。输出特

2、性曲线饱和区（VBE0.7V，VCE<0.3V）IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特点：条件：发射结正偏，集电结正偏。IC不受IB控制，而受VCE影响。VCE略增，IC显著增加。输出特性曲线可划分为四个区域：饱和区、放大区、截止区、击穿区。放大区（VBE0.7V，VCE>0.3V）IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特点条件发射结正偏集电结反偏VCE曲线略上翘具有正向受控作用满足IC=IB+ICEO说明IC/mAVCE/V0VA上翘程度—取决于厄尔利电压VA上翘原因—基区宽度调制效应（VCE

3、IC略）在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的修正方程：基宽WB越小调制效应对IC影响越大则VA越小。与IC的关系：IC0在IC一定范围内近似为常数。IC过小使IB造成。IC过大发射效率造成。考虑上述因素，IB等量增加时，ICVCE0输出曲线不再等间隔平行上移。截止区（VBE0.5V，VCE0.3V）IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特点：条件：发射结反偏，集电结反偏。IC0，IB0近似为IB≤0以下区域严格说，截止区应是IE=0即IB=-ICBO以下的区域。因为IB在0

4、-ICBO时，仍满足击穿区特点：VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。V(BR)CEO集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。注意：IB=0时，击穿电压为V(BR)CEOIE=0时，击穿电压为V(BR)CBOV(BR)CBO>V(BR)CEOIC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0IB=-ICBO(IE=0)V(BR)CBO三极管安全工作区ICVCE0V(BR)CEOICMPCM最大允许集电极电流ICM（若IC>ICM造成）反向击穿电压V(BR)CEO（若VCE>V(BR)CEO管子击穿）VCE

5、O最大允许集电极耗散功率PCM（PC=ICVCE，若PC>PCM烧管）PC