电镀前处理工艺概述以及配方.pdf

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1、电镀前处理工艺概述以及配方1前处理的定义一般前处理过程为,研磨预备洗净水洗电解脱酯水洗酸浸及活性化水中和水洗电镀。1.1前处理的目的前处理的目的是为了得到良好的镀层,由于镀件在制造、加工搬运、保存期间会有油酯、氧化物锈皮、氢氧化物、灰尘等污物附着于镀件表面上,若不去除这些污物而进行电镀将得不到良好的镀层。镀•件品质,前处理占很重要的地位。1.2前处理不良所造成之镀层缺陷前处理不良所造成之镀层缺陷,有下列几项:(1)剥离,(2)气胀,(3)污点,(4)光泽不均,(5)凹凸不平,(7)小孔(8)降低耐蚀性,(9)脆化。电镀之不良,前处理占很大的原因

2、。1.3污物的种类污物的种类,可分为有机物及无机物。有机物污物主要是动物性油酯,植物性油酯及矿物性油酯,无机物污物是金属氧化物、盐类、尘埃、及砂土。另外由有机物和无机物污物之物如研磨屑、研磨材料。动物性及植物性油酯可被化缄剂皂去除。矿物性油污无法被缄剂皂去除需用三菉乙烯、汽油、石油溶剂乳化剂等去除。无机物污物可被酸或缄溶解,利用酸、缄浸渍、化学或电解方法去除及机械研磨方法去除。无机、有机混合污物,去除较困难,除了利用化学方法,亦须用电解,机械研磨等方法联合应用去除。1.4电镀前处理去除的典型污物(1)润滑油(6)淬火残留物(2)切削油(7)热处

3、理盐(3)研磨油(8)热处理盐(4)热斑(9)污迹(5)锈及腐蚀物(10)油漆及油墨1.5表面清洁测定表面清洁度测定,在工场最实用的方法是用水冲(water-beaktest),检查表面水是否均匀润湿,如果是均匀润湿则为清洁表面,反之则不清洁。其它方法有,Nielsonmethod,Atomizertest,Fluoresentmethod,weightofresidualsoil,wip-ingmethod,residualpatlernmethod及Radioisotopetracertechnique。1.6选择清洁方法及清洁材料之影响因

4、素其影响因素有:(1)被清洁表面之特性(9)清洁剂的温度(2)被去除污物之特性(10)应用时间(3)清洁要求程度(11)经验(4)应用的方法(12)搅拌次数(5)水质(13)污染的程度(6)手续、另件、设备人员的安全(14)下一步处理(7)成本(15)废物之处理(8)清洁剂的浓度4镀铬之影响因素(l)CrO3浓度与导电度关系(2)温度兴导电度之关系(3)CrO3浓度与电流效率之关系(4)硫酸浓度之影响:浓度低时,低电流密度下电流效率高,反之电流效率低‥(5)三价铬的影响1.三价铬很少时,沉积速率减媛。2.三价铬很高时,镀层变暗。3.三价铬增加,

5、则导电度降低,需较大电压4.三价铬愈多,光泽范围愈小。(6)电流密度及温度的影向1.镀浴温度升高,电流效率降低。2.电流密度愈高,电流效率愈高。3.高电流密度,低温则镀层灰暗,硬度高脆性大,结晶粗大‥4.高温而低电流密度,镀层硬度小,呈乳白色,延性好,无网状裂纹,结晶细致,适合装饰性的镀件。5.中等温度及中等电流密度,镀层硬度高,有密集的网状裂纹,光亮硬质铬镀层。(7)杂质的影响1.铁杂质,电解液不稳定,光泽镀层范围缩小,导电性变差,电压须增高,去除铁杂质比三价铬还困难,要尽量防止铁污染,不要超过10g/l2.铜、锌杂质,含量低时,对镀层影向不

6、大,铜最好不要大于3g/l3.硝酸,是镀铬最有害的杂质,镀浴须严禁带入硝酸污染‥(8)阳极及电流分布之影响1.阳极较大,电流分布较不均匀使镀层厚度不均勺‥2.阳极面积大,三价铬形成较多。3.复杂镀件,阳极宜用象形电极或辅助电极,使电流分布均匀。4.阳极的铅易氧化,形成黑色的氧化铅及黄色的过氧化铅。过氧化铅导电性不良,应立刻除去。5.电流因尖端及边缘效应,造成镀层厚度不均,可采用绝缘物遮盖尖端或边缘。5镀铬之挂架(Rack)镀铬其镀浴均一性极差,电流效率很低,须使用较高电流密度,所以挂架之设计要求对镀铬品质影响很大。其设计要点如下(1)安定不溶解

7、。(2)导电顺利不发熟,需足够截面积。(3)与镀件接触良好。(4)结构以焊接方式,导电钩要弯成直角(5)非电镀部份要用绝缘物覆盖,以减少电流消耗。(6)结构要简单、易制造、轻便。(7)镀件放置位置要使气体自由逸出容易。(8)应用辅助电极、双极电极。(9)依镀件的形状、尺寸、数量及镀层用途等因素决定挂架之设计。9.7银及银合金之酸浸溶液配方Nitricacid66vol%Temperatureroomto160FSulfuricacid78vol%Nitricacid22vol%TemperatureroomSodiumcyanide3~4oz/

8、galSodiumcarbonate1~2oz/galSodiumaluminumsulfate6oz/galSodiumpotassiumtattr

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