《双极型晶体管》PPT课件.ppt

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1、双极型晶体管双极型半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用硅材料做的。下面是一些三极管的外型。大功率低频三极管中功率低频三极管小功率高频三极管学习要点学习要点双极型晶体管半导体三极管的结构晶体三极管的放大原理共射电路输入特性曲线的意义共射电路输出特性曲线的意义晶体管的特性一、晶体管结构简介1.晶体管的两种结构一、晶体管结构简介1

2、.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成双极型晶体管(BJT)2.晶体管的三个区一、晶体管结构简介2.晶体管有三个区:N集电区NP基区e发射极b基极c集电极发射区管芯结构剖面图基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b.发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e.集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c.1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成以NPN型晶体管为例。双极型晶体管(BJT)发射极的电路符号一、晶体管结构简介基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b.发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e.集电区(N):与基区

3、的接触面较大——引出集电极c.1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成注意：发射极的符号带箭头。PNP型ECBECBNPN型半导体三极管电路符号2.晶体管有三个区:双极型晶体管(BJT)双极型晶体管(BJT)3.晶体管的两个PN结一、晶体管结构简介1.晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成PNP型ECBECBNPN型半导体三极管电路符号NPN与PNP管具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而已。2.晶体管有三个区:很显然，三极管有两个PN结，发射区与基区间的称为发射结，集电区与基区间的叫集电结。双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电

4、流分配和放大作用1.晶体管正常工作时各极电压的连接及作用NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向1.晶体管各PN结电压连接的一般特性顾名思义：发射区的作用是发射电子,集电区的作用是收集电子,下面以NPN型三极管为例分析载流子(即电子和空穴)在晶体管内部的传输情况。二、晶体管的电流分配与放大作用发射结集电结发射极集电极基极发射结必须处于正向偏置——目的削弱发射结集电结必须处于反向偏置——目的增强集电结VEEVCC+－+－ICN连接BJT各极间电压的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)动画演示NNP空穴电

5、子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向VEEVCCVCC+－+ICN发射结必须处于正向偏置——目的削弱发射结集电结必须处于反向偏置——目的增强集电结二、晶体管的电流分配与放大作用分析集射结电场方向知,反向偏置有利于收集在基区的电子1.晶体管各PN结电压连接的一般特性发射结变薄有利于发射区的电子向基区扩散连接BJT各极间电压的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配与放大作用2.晶体管的电流分配发射极电流的组成NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向2.晶体管的电流分配

6、发射极电流IE:主要由发射区的电子扩散(IEN)而成,亦有极少数的由基区向发射区扩散的空穴电流(IEP)。IE=IEN+IEPIENVEEVCCVCC+－+ICN注意电流方向：电流方向与电子移动方向相反,与空穴移动方向相同。1.晶体管各PN结电压连接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)二、晶体管的电流分配与放大作用基极电流的形成NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向基极电流IB:基极电流主要由基区的空穴与从发射区扩散过来的电子复合而成。同时电源VEE又不断地从基区中把电子拉走,维持基区有一定数量

7、的空穴。VEEVCCVCC+－+ICN2.晶体管的电流分配1.晶体管各PN结电压连接的一般特性由于基区有少量空穴,所以从发射区扩散过来的电子在基区会被复合掉一些,形成基极电流。晶体管的电流分配晶体管的放大作用双极型晶体管(BJT)集极电流的形成二、晶体管的电流分配与放大作用NNP空穴电子ecbIBIEICICBOIENIEPIBN电流方向集电极电流IC:集电极电流主要由集电结收集从发射区扩散至基区的电子而成(ICN)。亦有由于基区和集电区的少子漂移作用而产生的很小的反向饱和电流ICBO。VEEVCCIC=ICN+ICBOICNVCC+－+ICN由于基

8、区空穴的复合作用,集电区收集的电子数会比发射区扩散的电子数要小一些,即集电极电流IC比发射极电