元件参数符号含义.pdf

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1、场效应管参数符号意义Ta---环境温度Cdu---漏-衬底电容Tc---管壳温度Cgd---栅-源电容Tj---结温Cds---漏-源电容Tjm---最大允许结温Ciss---栅短路共源输入电容Tstg---贮成温度Coss---栅短路共源输出电容VDSS---漏源击穿电压Crss---栅短路共源反向传输电容ID(ID25)---漏极电流（Tc=25℃，直流）di/dt---电流上升率（外电路参数）RDS(on)---通态漏源电阻dv/dt---电压上升率（外电路参数）PD---漏极耗散功率IDQ--

2、-静态漏极电流（射频功率管）trr---反向恢复时间IDSM---最大漏源电流V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压IDSS---栅-源短路时，漏极电流VGSF--正向栅源电压（直流）IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）VGSR---反向栅源电压（直流）IG---栅极电流（直流）VGS(th)---开启电压或阀电压IGDO---源极开路时，截止栅电流Cgs---漏-源电容IGSO---漏极开路时，截止栅电流IDM---漏极脉冲电流IGSS---漏极短路时截止栅电流VDS---漏源电

3、压（直流）IDSS1---对管第一管漏源饱和电流VGS---栅源电压（直流）IDSS2---对管第二管漏源饱和电流PDM---漏极最大允许耗散功率Iu---衬底电流ID(on)---通态漏极电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）ton---开通时间,Ton=Td(on)+Trgfs---正向跨导td(on)---开通延迟时间Gp---功率增益tr---上升时间Gps---共源极中和高频功率增益toff---关断时间,Toff=Td(off)+TfGpG---共栅极中和高频功率增益td(off)--

4、-关断延迟时间GPD---共漏极中和高频功率增益tf---下降时间ggd---栅漏电导IGM---栅极脉冲电流gds---漏源电导IGP---栅极峰值电流K---失调电压温度系数IF---二极管正向电流Ku---传输系数RDS(on)---漏源通态电阻L---负载电感（外电路参数） RDS(of)---漏源断态电阻LD---漏极电感R(th)jc---结壳热阻Ls---源极电感R(th)ja---结环热阻RGD---栅漏电阻VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）RGS---栅源电阻V

5、GG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Rg---栅极外接电阻（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）VDS(on)---漏源通态电压PIN--输入功率VGD---栅漏电压（直流）POUT---输出功率D---占空比（占空系数，外电路参数）Vsu---源衬底电压（直流）PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）VDu---漏衬底电压（直流）IDS---漏源电流VGu---栅衬底电压（直流）IGF---正向栅电流Zo---驱动源内阻IGR---反向栅电

6、流η---漏极效率（射频功率管）VDS(sat)---漏源饱和电压Vn---噪声电压TL---晶格温度(Latticetemp)/或指下限温度与TH相对aID---漏极电流温度系数Te---电子温度(Electrontemp)Te=TLards---漏源电阻温度系数IAR(IA)---雪崩电流（AvalancheCurrent）EAR---重复雪崩电压（RepetitiveAvalancheEnergy）半导体二极管参数符号及其意义Ta---环境温度Tc---壳温Tj（TVJ）---结温TjM（TVJ

7、M）---最高结温Tstg---温度补偿二极管的贮成温度VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）IF（AV）---正向平均电流IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 trr---反向恢复时间Pd(Ptot)---总耗散功率VF---正向压降（正向直流电压）IRM--

8、-反向峰值电流IFRM---正向重复峰值电流PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IF(ov)---正向过载电流 IFMP---正向脉冲电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）IRRM---反向重复峰值电流V（BR）---击穿电压VF（AV）---正向平均电压VRM---反向峰值电压（最高测试电