电子元器件应用-金属材料的耐腐蚀性能.pdf

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1、金属材料的耐腐蚀性能概述变送器与测量介质接触的隔离膜片和远传膜片，是利用金属材料的力学特性，将压力或差压传递给δ室的中心膜片，为了减少压力传递过程中的损耗，一般选用厚度小于0.1mm的金属材料制成。对薄壁材料使用在腐蚀环境下，在期望寿命内，既要保持良好的力学弹性，又要不发生腐蚀渗漏，就要选择比其它结构件耐腐性更强的材料，一般应选择《均匀腐蚀十级标准》规定四级以上材料（即年腐蚀深度小于0.05mm）。表1-1常用合金纯金属的耐腐蚀性能类别名称耐腐蚀性能附注是常用的奥氏体不锈钢。同标准的302SST不锈钢相比较，316SST和316LSST对硫酸、硫化物溶液、钠及锰的盐溶液

2、、盐酸溶液及磷酸溶液的耐蚀性都优于316SST302SST，对醋酸、蚁酸、甲酸和热碱溶液也具有良好的不耐氢氟酸、湿氯气、盐316LSST耐蚀性。酸气体，以及碘、溴等的腐蚀。此类钢的含碳量较低,故焊接后可不进行热处理,尤其是称为超低碳不锈钢的316LSST,抗晶间腐蚀性能优于316SST，因此耐蚀性能更好。不耐硝酸、盐酸、高浓度合或沸腾状态的硫酸，也不适合金在酸性铁盐、锡盐等溶液中使除铂和银以外，是最耐氢氟酸的金属之一。也可用蒙耐尔合金用。在测量介质氢氟酸中进入作氯化物、海水、碱中的防腐材料。的氧量多时，耐蚀性会下降，在高浓度的氢氧化钠中，耐蚀性也较差。具有比一般奥氏体不

3、锈钢高得多的耐腐能力。适于在多种腐蚀性介质的混合液中使用，如能在湿氯气、干哈氏合金C氯气、硝酸（＜50℃）、盐酸、硫酸、磷酸、醋酸、次哈氏C-276氯酸盐、氯化铁、氯化铜、苛性钠、海水和各种有机酸下工作。特别能耐碱的腐蚀,不论在高温或熔融的碱中都比较稳定，所以主要用于制碱工业。不耐无机酸腐蚀，在醋酸镍在常温下,镍在海水和盐类溶液及有机介质（如脂和蚁酸中也不稳定。肪酸、酚、醇等）中极为稳定。纯是耐蚀性非常好的纯金属。特别是在各种浓度的硝不耐较纯的还原性酸和盐金钛酸、有机酸、氯化物、湿氯气和碱中有很强的耐蚀性。酸的腐蚀。属不耐氢氟酸、发烟硫酸、是具有高度化学稳定性的纯金属。

4、在许多腐蚀性介游离三氧化硫、碘化钾、含氟钽质中，如对无机酸、王水、有机酸、氯化物、盐类、腐离子溶液和高温下的强碱腐蚀性气体等有极强的耐腐性。蚀。1注：为了改善纯金属的机械性能，在冶炼过程中，根据需要加入微量的其它金属。表1-2.接触介质部分材质的耐腐蚀性能参考表哈蒙哈蒙分浓度温碳316分浓度温碳316介质名称氏耐钽镍钛介质名称氏耐钽镍钛类(%)度钢钢类(%)度钢钢C尔C尔RT○○●5RT○○○●○5氢氟酸无BP○○○●○○48RT○○○○RT○○●RT○●●●●●机10有醋酸100BP○○○●○○BP○●●●●●盐酸RT○○●○RT○○●●盐20机甲酸50BP○○○●○

5、○BP○○●●RT○○●○○盐RT○●●○○35草酸10BP○○○●○○BP○○○○RT●●●●○○RT○●●●●5柠檬酸50BP○●○○BP○●●●RT○●●●○○RT●●●●●●1020BP○○●○○BP●●苛性钠RT○○●●●○○RT●●●○●硫酸60碱40BP○●○○BP●○●RT○●○●○○80苛性钾50BP●●●●○BP○○○○○RT●●○●○○RT○○○●○●95氯化铁30BP○○○○○○BP○○○●●RT○●○●○●20°RT●●●●●10氯化钠BP●○●○●饱和BP○●●●RT○●○●○●RT○●●●30盐氯化铵25BP●○○●○○BP●●硝酸RT○●

6、●●○●RT●●●●68氯化钙25BP○●○●BP●●●●RT●●●●发烟RT●○○氯化镁42BP●●●●RT○●●○●○20°RT●●●●●●30硫酸铵BP○●○●○饱和BP●硫RT○●●○●○RT●●●●50化硫化钠10BP○●○●○BP●●●●磷酸物RT○●●○●○RT●●70硫酸钠50BP○○○●○BP●RT○●●○●○RT●●●○●85硝酸铵10BP○○○○●○硝BP●●●酸235%HCL+盐RT●RT●销酸钾全部0.5%HNO3BP●90%HSO4+RT●干RT●●●●○10%HNO3氯气70%HSO4+RT●湿RT○●●30%HNO3腐50%HSO4+蚀R

7、T●氯水饱和RT○●50%HNO3气体RT●●○RT铬水20二氧化硫湿●●BP●○BPHCL3RT○●●王水硫化氢湿RT●●○●HNO31BP○○●注：标记：●耐蚀性能很好耐蚀性能一般○耐蚀性能差符号：RT室温BP沸点●材料种类材料附注隔离膜316L、哈氏合金C、蒙耐尔合金、钽片接液膜片1、根据接触介质的种类和腐蚀性强远传膜弱来选取不同的材料。316L、哈氏合金C、蒙耐尔合金、钽、镍200、钛片2、选用接液膜片材料，其耐腐性尽排气／排液阀316、316L、哈氏合金C、蒙耐尔合金可能高于其它部位。容室和椭圆接头碳钢镀铬、316、哈氏合金C、