镀层硫化氢测试腐蚀分析.doc

《镀层硫化氢测试腐蚀分析.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、镀层硫化氢测试腐蚀分析一、腐蚀的理论分析：a.产品结构示意图；图1附着在線层上的电镀金层（Au）孔隙率高，且厚度很薄。金在银上的分布就如我们常见的芝麻饼上的芝麻一样。微观示意图如下：图2b.反应原理:在潮湿、高温的条件下，疏松多孔的金层与银层会发生原电池腐蚀：银为阳极，金为阴极,这种腐蚀在酸性条件下加速。鎳层逐渐被腐蚀，金层脱落、剥离；当银层出现孔洞后，又发生繚、铜间的原电池腐蚀，于是银可能被完全腐蚀掉，直至漏出铜层。在硫化氢测试环境下，发生的化学反应如下：（硫化物的产生，使得反应平衡向右移动）（1）.硫化氢的电离：H2S►H++HS-HSv►H1+S2

2、'⑵•镰与金、镰与铜间的原电池腐蚀：（都是银的腐蚀）银层（阳极）反应：Ni-2e►Ni2tNi21+S2-——►NiS/（黑色）金（铜）层（阴极）反应：2H'+2e►H2*⑶.当铜层裸霜出来后，铜与其白身所含有的其他物质（如碳等），也能发生原电池腐蚀:Cu-e►Cu+Cu-2eCu2+2C『+S2-——Cu2S；（灰黑色）C++S2-——Cug（黑色）⑷•可能还有其他的少量的缓慢反应，如硫化氢被缓慢氧化成硫，再到SO?,S03,ILSOb进而与钦、铜离子生成绿色的硫酸钦和蓝色的硫酸铜。反应方程式不再累述。二、客户不良样品图片：（样品部提供的不良样品）a.

3、手指表面的腐蚀:100倍镜：黑色堆积物和隐约可见的底铜200倍镜：斑驳的金和清晰可见的底铜b.于指顶端（冲切区）：可能预示着手指冲切麻需做防氧化处理100倍镜：端部腐蚀严重200倍镜：端部腐蚀严重，可见底铜三、硫化氢测试条件:硫化氢浓度测试温度测试湿度测试时间100ppm50°C50%7211四、改善方向和方案a.改善方向：尽量消除导致镀层发生原电池腐蚀的内部环境:1•增加金层厚度，减少金层孔隙率；2.对金面进行封孔处理；3.适当加厚牒层；4.对比不同银金沉积方法的耐腐蚀强度的差别。b.试验改善方案：试验产品共30PNL1.电镀鎳金（银厚按上限控制），对

4、不同金厚的产品试行封孔处理（药水名称为ST-2和ATT-200）金层厚度<0.1um<0.2um<0.3um<0.4um金面处理方式ST-22PNL2PNL2PNL2PNLATT-2002PNL2PXL2PNL2PNL不做处理2PNL2PNL2PNL2PNL2.化学磔金：钦厚按上限控制，对不同金厚的产品试行封孔处理（药水名称为ST-2和ATT-200）金层厚度ST-2ATT-200不做处理0.05um1PNL1PNL1PNL0.1um1PNL1PNL1PNL3.封孔剂性质：（药水供应商宣称）药水名称操作温度配比浓度盐雾测试H2S测试SO2测试皮膜耐温性耐

5、酸碱性ST-220^50°C20%48H没做过24H不清楚最怕盐酸ATT-20040±5°C5%48H没做过不清楚120°C耐受性差五、硫化氢测试：先全测線金厚度按上述客户测试环境测试，但在时间上稍作变化：总时间7211,但每411检杳记录一次，并同时拿出「2PCS产品，标识封存，试验完全结束后拿冋木司供对比分析，a.生产参数预设金厚规格<0.1um<0.2um<0.3um<0.4um电镀镰金参数镀镰电流密度D<2.OASD2.3ASD2.3ASD2.3ASD镀線时间t9mim9mim9mim9mim预设金厚规格<0.1um<0.2um<0.3um<0.

6、4um电镀镰金参数镀金电流密度D<0.4ASD0.8ASD0.8ASD0.8ASD镀金时间t2.Omim3.5mim7mim10.5mim预设金厚规格<0.1um<0.2um沉银金参数沉银时间min2222沉金时间min9.521♦金观格小Jo.luin-•—金规恪小」02um金观格小JOSum12345678910111213141516171«1920222232425262728293031323380"4020(x)80何4O2OU35凤弋逑金观俗小」Odum•—予页炉怂九A1々各刁、壬尸（〉・1um——予页汝忽刃AU各<1、刁二0・Nuim刁

7、、丁二O・3um予页堂恣九AU*・Auimb.电镀银金镀层实际测最厚度电镀線金：C.沉磔金厚度:七、盐雾测试（先于硫化蛍测试开始，木司内部测试）a.测试条件;氯化钠浓度温度湿度pH40-60g/L35°C85%6.5〜7.3b.测试结果：超声产品5594Y4盐雾测试结果编号镀全岸度镀层处理测试结果备注24H51H90H1<0.1ktIDATT-2000KNGNG2<0.211IDATT-200OK2NG；1QKNG3<0.3

8、iwATT-200OKOK1NG,2OK4<0.4

9、1idATT-200OKOK2NG;1OK5化金<0.1ktIDATT-200

10、NGNGNG6化金<0.211inATT-200NGNGNG7<0.IllIDS