微机原理第三章的课件.ppt

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1、1微机原理及应用第三章存储器3第3章半导体存储器3.1存储器概述3.2随机存取存储器(RAM)3.3只读存储器(ROM)3.4存储器与CPU的连接4内存储器（半导体存储器）读写存储器RAM只读存储器ROM静态RAM（SRAM）:存取时间为几十纳秒，集成度比较高，每片容量为几KB到几十KB动态RAM（DRAM）:集成度特别高，每片容量为几十MB掩模式ROM：厂家做好后只能读取信息，不能修改可编程PROM：用户可以对其进行一次性写入，一旦写入不能修改可擦写EPROM：用紫外线擦除存储内容，擦除后可以重新写入电擦写E2PROM：用电的方法擦除3.1存储器概述3.1.1存储器的

2、分类存储器外存储器53.1.2半导体存储器的结构存储单元的选择6在内存空间比较大的体系中，由于内存单元较多，即所需存储器芯片较多，往往采用模块化结构。，每个模块由存储接口和存储器芯片组成。同一模块中的存储器芯片可以有若干组，比如，256KB的模块由64组来组成，每一组内有8个4K*1bit的芯片，它组成一个存储矩阵。同一组中的几个芯片总是同时被选中或未被选中，所以它们的片选输入端总是连在一起的。当片选信号有效时，被选中的存储器芯片组就可按8位（1字节）被读出或写入。7存储容量：指能存储的二进制的位数，以bit为单位存储容量=存储单元数*位数8086的存储容量为1MB=1

3、M*8bit存储速度：存取时间Ta：存储器从接收、寻找存储单元的地址码开始到它取出或存入数据为止所需要的时间，是启动一次读出或写入到操作完成所需的时间。存储周期Tmc：指连续启动两次独立的读或写操作所需的最小时间间隔。存储周期略大于存取时间。3.1.3内存储器的性能指标8功耗：功耗低，0.1mW/位可靠性：指外界电磁干扰及温度变化对存储器的影响，目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间为105-108小时左右集成度：指每一片芯片上能集成多少个基本存储电路，每个基本存储电路存储一个二进制位，所以集成度表示为位/片。3.1.2内存储器的性能指标93.2随机存取存储器RA

4、M3.2.1静态随机存取存储器SRAM一、SRAM工作原理（略）QQDD10二、SRAM举例常用的典型SRAM的芯片有611662646212862256它们的存储容量分别为2K*8bit，8K*8bit，16K*8bit，32K*8bit111、芯片结构（以6116为例介绍引线功能）A0-A10共11根地址线；D0-D7共8根数据线；CS片选信号：当CS低电平有效时才能选中芯片；OE输出允许信号：当OE为低电平时，才允许芯片将某单元的数据送出；R/W读写控制信号：当R/W=0时，允许将数据写入芯片，当R/W=1时，允许芯片上的数据读出。611612R/WCSOED7-

5、D000×写入100读出×1×高阻态132、6116的工作过程写入数据的过程1R/W0142、6116的工作过程读出数据的过程R/W0153、存储器的连接使用对存储器进行读写操作，首先由地址总线给出地址信息，然后发出进行读写操作的控制信号，最后在数据线上进行数据交换，因此存储器的连接要完成:（1）地址线的连接（2）数据线的连接（3）控制线的连接按规定的内存地址范围，将存储器芯片片内地址线连接到地址总线上，芯片的片选信号是由高位地址（片外地址）和控制信号译码产生的，由它们决定芯片的内存地址范围。166116的连接D0~D7A0A10•••R/WOECS•••A0A10WR

6、RD译码电路高位地址信号D0~D761168086系统总线•••17全地址译码用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。所接芯片的地址范围：F0000H~F07FFHA19A18A17A16A15A14A13&1CSA12A1118部分地址译码用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信号，使得被选中得存储器芯片占有几组不同的地址范围。两组地址：F0000H~F07FFHB0000H~B07FFHA19A17A16A15A14A13&1CSA12A11193-8译码器G1G2AG2BCBAY0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7CY

7、6011Y7111Y5101Y4001Y3110Y2010Y1100Y0000输出CBA20应用举例：6264与系统的连接地址范围为：38000H~39FFFHD0~D7A0A12•••WEOECS1CS2•••A0A12WRRDD0~D7A19G1G2AG2BCBA&&A18A14A13A17A16A15VCCY021电容上存有电荷时，表示存储数据A为逻辑1；行选择线有效时，数据通过T1送至B处；列选择线有效时，数据通过T2送至芯片的数据引脚I/O；为防止存储电容C放电导致数据丢失，必须定时进行刷新；动态刷新时行选择线有效，而列选择线无