电路与模拟电子技术基础习题.doc

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1、电路与模拟电子技术基础习题7.1确定图7.1所示电路的漏极电流。Ugsq—2V,VP=-6V/〔)ss=3mAVgs丄2v~r(a)图7」习题7」图VTVP=6V/i)ss=J2mA(b)Ugsq=3V,/d=-12X(1-3/6)=-3(mA)7.2电路如图7.2所示，MOSFET的"•=2V,K=50mAA^2,确定电路Q点的/dq和S)SQ值。UgsqxVDD陷+心乔®3」3(V)ZDQ=K([/(g-t/T)2=50x(3.13-2)2=63.9(mA)^dsq=VDD-ZDQ/?d=24-63.9x0.2=11.2(V)7.3试求图7.3所示每个电路图的〃ds，已知PdssI=8m

2、Ao(a)&sq=0(V)(b)〃gsq=0(V)(c)&sq=0(V)，DQ=/Dss=8(mA)Udsq=Vdd—/dqR

3、8⑶£=人应(1一10x(1+-)=18.9(mA)87.5图7.4所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管备属于何种类型。说明它的开启电压Um(或夹断电压)约是多少。图7.4习题7.5图(a)N沟道耗尽型FETS=—3V；（b）P沟道增强型FETS=-4V；（c）P沟道耗尽型FETS=2V。7.6图7.5所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N沟道或P沟道），说明它的夹断电压〃卩（或开启电压Sh）为多少。也）小fmA图7.5习题7.6图(a)JFETP沟道Up=3V；(b)耗尽型N沟道FET^/P=-1.0V7.7画出下列FET的

4、转移特性曲线。(1)Up=-6V,7dss=3mA的JFET；(2)UP=-6V,/DSS=1mA的MOSFET；(3)^r=8V,K=0.2mA/V?的MOSFET。7.8试在具有四象限的右•角坐标上分别画出各种类型场效应管的转移特性示意图，并标明各白的开启电压或夹断电压。N沟道增强型卜匕

5、P沟道7.9判断图7.6所不各电路是否有可能正常放大正弦信号。图7.6习题7.9电路图⑻能放大(b)不能放大，增强型不能用自给偏压(c)能放大7.10试判断图7.7所示电路屮，哪些具有电压放大作用，如不具有电乐放大作用，如何改正才能使其有电压放大作用。(a)不能放大，缺少&(b)不能放大，共漏2“<1,

6、可增加/?d，并改为共源放大(c)不能放大，增强型不能采用自给偏压，须改为分压偏置(d)能放大图7.7习题7」0电路图7.11图7&a）所示电路中的场效应管的转移特性为图7$（b）所示，试求解该电路的口和"ds。°S可求得：Uds=12—2X5=2VUp=—3V、t/（BR）DS=1°Vo试问在由图（a）可知：UGS=-IV，由图⑹可得32mA,7.12电路如图7.8所示，己知FET的，Dss=3mA、下列三种条件下，FET0处于哪种状态？(l)/?d=3.9kQ；(2)&=IOS；(3)7?d=lkQ。Ugsq=O(V)/.Idq=/dss=3mA(1)〃dsq=15—3X3.9=3.3(

7、V)二处于恒流区；(1)C/dsq=15-3X1O=-15(V)二处于可变电阻区；(2)Udsq=15—3X1=12(V)・•・处于击穿区。7.13电路如图7.9所示，已知VT在Ugs=5V时的/D=2.25mA,在UGs=3V时的ID=0.25mAo现要求该电路中FET的VDQ=2,4V./DQ=0.64mA,试求：(1)管了的K和旳的值；(2)心和心的值应各取多大？/d=K(〃gs"t)〜2.25=K(5-Uif0.25=K(3・C7t)2->t/T1=3.5(V)(不合理,舍去),U^=2(y)求得：K=0.25mA/y2,叶INVDQ=VDD-/Dq•心2.4=12-0.647?d-

8、*/?d=15kQ0.64=0.25(t/GSQ一2)2-〃gsq尸0.4(V)(不合理，舍去)〃gsq2=3.6(V)^gsq=10-0.64・RsA/?s=10kQ7.14电路如图7.10所示，已知FET的（7t=3V>K=O」mA/V?。现要求该电路屮FET的7dq=1.6mA,试求Rd的值应为多大？图7.8习题7.12图图7.9习题7」3图图7.10习题7.14图1.6=0.1©gsq—3）2・・・〃