多晶硅及高纯硅.doc

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1、多晶硅及高纯硅<申请号>=CN2.0<名称>=一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片<申请（专利权）人>=中国科学院声学研究所<发明（设计）人>=乔东海;胡维;田静;徐联;汪承灏<申请日>=2005.07.26<地址>=100080北京市海淀区北四环西路21号<摘要>=本实用新型公开了一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片。该硅微电容传声器芯片包括多晶硅振动膜、保护层、隔离层、空气间隙、硅基片及其上的穿孔背板，该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔，该声学孔是刻蚀一连续的掺杂层形成。该硅微电容传声器芯片的制备方法包括：在所述硅基片的上表面形成一连续的掺杂层，

2、该掺杂层形成硅微电容传声器芯片的至少一部分穿孔背板，从该连续的掺杂层的上表面向下刻蚀出由多个声学孔组成的声学孔图案。本实用新型采用多晶硅作为振动膜，制作工艺与平面半导体工艺完全兼容；还克服了深度选择性浓硼扩散制作背板及背板穿孔所带来的问题和困难，为工业化生产传声器芯片提供一套简便易行的工艺。<申请号>=CN2.X<名称>=降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法<申请（专利权）人>=联华电子股份有限公司<发明（设计）人>=王俞仁;颜英伟;郑力源;詹书俨;黄国泰<申请日>=2005.04.05<地址>=台湾省新竹科学工业园区<摘要>=一种制作多晶硅栅极晶体管的方法，首先

3、提供一基底；在该基底表面上形成栅极介电层；在该栅极介电层上沉积多晶硅层；将非晶硅化物种注入该多晶硅层中，藉此将该多晶硅层的上部非晶硅化；进行离子掺杂，将离子注入该多晶硅层中；对该多晶硅层进行退火，同时活化注入该多晶硅层中的该离子；将该多晶硅层蚀刻成栅极结构；在该栅极结构两侧的该基底中形成漏极/源极。<申请号>=CN87106288<名称>=反向工作的晶体管偶合逻辑<申请（专利权）人>=张崇玖<发明（设计）人>=张崇玖<申请日>=1987.09.10<地址>=江苏省南通市易家桥新村20号楼305室<摘要>=反向工作的晶体管偶合逻辑电路，采用多晶肖特基或多晶二极管输入和多晶硅

4、电阻或漏栅共接的多晶硅MOS，栅接地的多晶硅MOS作为负载，制作上采用等平面V形槽，垂直槽和空气隔离工艺，广泛采用自对准工艺，减少扩散和套刻次数，使晶体管管芯面积，结面结、结电容、Rbb，RC时间常数很小，以提高电路的速度和集成密度，同时提高了管子和电路的成品率。<申请号>=CN03150598.8<名称>=多晶硅层的处理方法<申请（专利权）人>=上海宏力半导体制造有限公司<发明（设计）人>=金平中;蔡孟锦<申请日>=2003.08.27<地址>=201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号<摘要>=本发明提供一种多晶硅层处理方法，用以增加形成氧化层的平坦度，

5、包含提供一半导体结构，在该半导体结构上形成一多晶硅层，通过化学机械研磨方式处理多晶硅层，并在多晶硅层上形成一氧化层。<申请号>=CN00133189.2<名称>=半导体存储器电路的电容器的制造方法<申请（专利权）人>=世界先进积体电路股份有限公司<发明（设计）人>=曾鸿辉<申请日>=2000.10.24<地址>=台湾省新竹科学工业园区<摘要>=一种堆叠式电容器的制造方法。形成字线和转移栅晶体管后,沉积第一介电层、薄的氮化硅与第二介电层。蚀刻以形成存储单元接触窗。沉积第一多晶硅,在接触窗内形成第一多晶硅插塞物。去除第二介电层以露出一部分第一多晶硅插塞物。形成第二多晶硅和第三

6、介电层,对第三介电层回蚀刻以形成第三介电层侧壁间隔物。形成第三多晶硅,回蚀刻第三多晶硅和第二多晶硅,以形成第三多晶硅侧壁间隔物与第二多晶硅侧壁间隔物。去除第三介电层侧壁间隔物,剩余的第一多晶硅插塞物、第二多晶硅侧壁间隔物与第三多晶硅侧壁间隔物构成了电容器的电荷储存电极。<申请号>=CN98102573.0<名称>=一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺<申请（专利权）人>=北京大学<发明（设计）人>=肖志雄;郝一龙;张国炳;李婷;张大成;刘诗美;李志宏;陈文茹;武国英;王阳元<申请日>=1998.07.03<地址>=100871北京市海淀区中关村北京大学<摘要>=本发明是一

7、种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺。通常采用的表面牺牲层工艺,在腐蚀后的清洗干燥过程中,多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中,同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶作为两次掩膜,或两次都利用光刻胶作为掩膜,腐蚀牺牲层,干法刻出多晶硅结构,并同时把多晶硅支柱去除。本发明立足于版图设计,彻底克服了粘附效应,适合于批量生产。<申请号>=CN01818537.1<名称>=由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和