模拟电子技术基础答案 (2).doc

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1、第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否止确，用“J”和“X”表示判断结果填入空内°（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自曲电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rgs大的特点。（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。（）解：（1）J（2）X（3）V（4）X（5）J（6）X

2、二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽（2）设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是oA.仆〃B.10叭C./s（e（z/^-l）（3）稳压管的稳压区是英工作在oA.正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者止偏、后者反偏C.前者止偏、后者也正偏（5）UGs=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解：（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、写出图T1.3所示各电路的输

3、出电压值，设二极管导通电压UD=0.7Vord

4、根据PCM=200mW可得："ce=40V时/c=5mA,〃ce=30V时Ic~6.67mA,Uce=20V吋Ic=10mA,UCe=10V时/c=20mA,将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。六、电路如图T1.6所示，Vcc=15V,H=100,Ube=0.7V。试问：(1)Z?b=50kQ吋，uo=?(2)若T临界饱和，则R严2解：(1)心=50kQ吋，基极电流、集电极电流和管压降分别为=26卩AIc=/?/B=2.6mAt/CE=VCC-ICRC=2V所以输出电Uo=Uce=2Vo(2)设临界饱和

5、吋Uces=Ube=0.7V,所以=2.86mA方=28.6//A他二咛仏"5.4kG1B七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。表T1.7管号^GS（th）/VDs/V〃g/VUd/V工作状态Ti4-513t2-43310Ta-4605解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。解表T1.7管号DgS5）/Vt/s/VVg!N心/v工作状态T)4-513恒流

6、区t2-43310截止区t3-4605可变电阻区1.1选择合适答案填入空内。(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当人从12uA增大到22uA时，7c从1mA变为2mA,那么它的0约为。A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流人从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。A.增大B.不变C.减小解：(1)A,C(2)A(3)C(4)A1.2能否将1.5V的干电池以止向接法接到二极管

7、两端？为什么？解：不能。因为二极管的止向电流与英端电压成指数关系，当端电压为I.5V时，管子会因电流过大而烧坏。1.3电路如图P1.3所示，已知心=lOsin®/(v),试画出尙与"的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。解图P1.3解：论和％。的波形如解图P1.3所示。1-4电路如图Pl.4所示，己知u=5sinojt(V),二极管导通电压UD=0.7Vo试画出给与“o的波形，并标出幅值。解图PI.4九/V]3—0.30(b)图Pl.5解：波形如解图P1.4所示。1.5电路如图Pl.5(a)所示，其输入电压心1和弘

8、2的波形如图(b)所示，二极管导通

9、电压”d=0.7V。试画出输出电压“°的波形，并标出幅值。g/V*3-0.310解：uo的波形