FOXCONN-BGA、LGA的Void零件技术手册.ppt

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1、FoxconnTechnologyGroupSMTTechnologyDevelopmentCommitteeSMTTechnologyCenterSMT技術中心BGA、LGA的Void零件技朮手冊目錄1、背景目的2、BGA和LGA的Void發生的原因。3、Reflow中的Void形成過程。4、Void抑制方法的檢驗。4-1、ReflowProfile和Void的研究;4-2、LGA的SolderPaste和Void的關系;4-3、LGASolderPaste印刷和Void的關系。5、LGA的Void不良零技朮。6、BGA變形

2、的原理（參考）。背景目的1-1背景：隨著實裝的高密度化的推進，元件特別是IC、端子等電極的構造變化顯著。根據電極的變化，以前的焊接技朮已經不能正確的焊接元件了，其中最有代表性的是采用LGA、BGA的IC工廠。LGA、BGA等CHIP元件由開放型焊接向密閉型焊接變化。LGA、BGA-IC最大的問題是在接合部發生的“Void”。背景目的1-2目的：1、)LGA、BGA-IC不產生Void焊接技朮成為實用化。2、)能夠在高密度實裝基板、大型主板上沒有Void進行實裝，提高接合的可靠性。LGA和BGA的VOID發生原因。為防止LGA、

3、BGA的void發生，解開void發生的原理相當重要。。為防止LGA、BGA的void發生是受錫膏的熔融的變化影響的。。解開這些變化過程，就可以提出void的對策。發生原理：1、因為焊錫表面張力，焊錫向中心部集中。2、因為表面張力void密閉3、要排除void抑制焊錫表面張力是很必要的。浸潤性變慢1、焊錫向母材的浸潤方向流動。2、因為這種流動使void密閉。3、要排除void，提高浸潤性很重要。加速浸潤性LGA和BGA的VOID發生原因膏體溶解的過程三維的Void容易排出二維的Void不容易排出REFLOW后的Standoff

4、高度、焊錫量0.5mmPitchCSPVoid:0.3mmDiaPaste:110umm0.65mmPitchCSPPaste:130umm模擬回流爐中LGASolderPast的變化void改良品殘渣的流動性高焊錫融化后助焊劑處于活動狀態殘渣的流動性小于K2-V錫膏焊錫融化后助焊劑處于穩定狀態為了解開實際的LGA、BGA的焊接有必要做模擬。目前REFLOW中的void的形成過程LGA內void的發生過程初期融化階段發生細小的-隨著時間變化膨脹.變大在一定程度上也會有較大的發生（從基材噴出）一般認為延長溶解時間是不好的對策。V

5、oid抑制方法的檢驗原因分析的結果，為了防止BGA、LGA發生Void,要推進以下工作﹕1、ReflowProfile錫膏助焊劑的設計。2、錫膏印刷3、ReflowProfile的3項目須同時改善，一個一個改善沒有效果。材料BGALGA發生原理因為向母劑的融解性不足及焊錫的流動不足殘留助焊劑因融解速度及表面張力殘留助焊劑和產生的氣體留在焊錫中及其產生的氣體（水分、溶劑、還原成分不能排出對策錫膏的融解性及融解速度提高，抑制焊錫融解速度，使助焊劑和產生排出殘留助焊劑及產生的氣體。的氣體在焊錫完全融化前釋放出來ReflowPro

6、file升溫速度：快，ReflowPeak:高，溶解時間：長。升溫速度：慢，ReflowPeak:低，溶解時間：短。印刷量、形狀厚薄焊錫合金無鉛（Ag:3.5%Cu:0.5%)，顆粒大無鉛（Ag:3.5%Cu:0.5%)，顆粒小（void顆粒小型化）助焊劑設計活性劑：多活性劑：少溶劑：極性高沸點低溶劑：極性低沸點高Void抑制方法的檢驗LGA的ReflowProfile和void發生量的檢驗ReflowProfile的void發生量的檢驗按照下面3項記錄條件執行﹕1、公司內一般使用的Profile2、改善的Profile3、考

7、慮現在生產的ProfileLGA的ReflowProfile和void發生量的檢驗（無鉛）使用錫膏：MSK:順序voidReflowProfile和void的發生量的檢驗（2）RP-3的Profile能夠得到更好的結果REF-1REF-2REF-3REF-2REF-1REF-3LGA的錫膏和void的發生量的驗証M705-GRN360-K2-VM705-GRN360-K2-VL焊錫粒度15-25um25-45umFULX活性劑少多溶劑極性低沸點高極性高沸點低做LGA的solderpaste的void發生量試驗LGA的錫膏和vo

8、id的發生量的驗証landvoid使用past:1：M705-GRN360-K2-V2：M705-GRN360-K2-VLMSK厚度：130um實裝：0.65mmpC-LGA預熱不足容易發生大的voidLGA的solderpaste和void發生量的驗証結論：void對策品的