单端反射论文:单端反射半导体光放大器静态特性理论研究

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1、单端反射论文:单端反射半导体光放大器静态特性理论研究【中文摘要】反射半导体光放大器(RSOA)具有体积小、功耗低、反应速度快、可以使入射光获得双程增益的优点,目前被应用在波分复用无源光网络中。RSOA作为光放大调制器可以替代成本昂贵的可调激光器或者其他波长选择器件,同时具备反射和放大的能力。本文的主要任务是从理论上研究RSOA的静态特性,对影响RSOA的参数进行优化,使RSOA更适用于商业化生产。本文首先采用分段的方法建立了理想的一维静态模型,这种模型不考虑放大自发辐射噪声。通过对静态模型进行数值模拟,得到了载流子浓度和光功率在有源区

2、内的分布,研究有源区长度、端面反射率、注入电流对RSOA静态特性的影响。本文还建立了一种通用的模型,把放大自发辐射和两个端面的反射率都考虑进来。对功率和噪声谱做了详细的研究,进而描述了放大自发辐射的影响。本文在基于SOA的基础上建立了RSOA的两种模型,理论上对其参数进行优化。【英文摘要】Reflectivesemiconductoropticalamplifier(RSOA)hasmanyadvantages,suchassmallvolume,lowconsumption,fastresponsetime,anditcanmake

3、theincidentlightgaindouble-passgain.atpresentRSOAhasbeenusedinwavelengthdivisionmultiplexingpassiveopticalnetwork(WDM-PON).Asthemodulator,RSOAcanreplaceexpensivetunablelaserorotherwavelengthselectiondevices,atthesametimehavetheabilityofreflectionandamplification.Themain

4、taskofthispaperistoresearchthestaticpropertiesofRSOA,tooptimizetheparameterswhichinfluenceRSOAsoastoistomakeRSOAmoresuitabletoproduction.Theidealone-dimensionalstaticmodelisestablishedthroughsegmentingmethod,theamplifiedspontaneousemissionnoiseisnotconsideredinthemodel.

5、Thedistributionoftheconcentrationofcarriersandopticalpowerintheactiveregionisgotthroughsimulatingnumericallystaticmodel,andthentheinfluenceofthelengthoftheactiveregion,endreflectivity,injectioncurrentonRSOAisresearched.Ageneralmodelisalsoestablished,theamplifiedspontane

6、ousemissionandthereflectivityofbothendsisconsidered,theopticalpowerandnoisespectrumisanalyzedindetail,theinfluenceoftheamplifiedspontaneousemissionisdescribed.BasedonSOA,thetwomodelofRSOAareestablished,andthenoptimizingtheparametersofRSOAisrealizd.【关键词】单端反射半导体光放大器静态特性噪声

7、谱【备注】索购全文在线加好友:1.3.9.9.3.8848同时提供论文写作一对一指导和论文发表委托服务【英文关键词】RSOAstaticmodelgainASEspectrum【目录】单端反射半导体光放大器静态特性理论研究中文摘要3-4Abstract4第1章绪论8-131.1课题研究的背景、目的及意义8-101.1.1光放大技术在光纤通信中的作用8-91.1.2光纤通信的优点和技术发展91.1.3课题研究的目的和意义9-101.2课题研究的现状10-111.3本文的主要内容11-13第2章半导体光放大器的基本理论13-222.1光的

8、吸收与辐射的半经典理论13-142.2半导体光放大器的结构和原理14-172.2.1半导体光放大器的PN结15-162.2.2光增益16-172.2.3SOA的结构特点172.3半导体光放大器的性质17-212.3.1自

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