汽车电工电子技术基础ppt课件 项目六 汽车电路中常用的电子元件pt.ppt

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1、项目六汽车电路中常用的电子元件基本元件6.1半导体器件6.26.1基本元件6.1.1电阻元件6.1.2电感元件6.1.3电容元件R6.1.1电阻元件1.电阻元件的符号电阻元件是电路中最基本的电路元件，是实际电阻器的理想化模型，是表征电路中电能消耗的理想元件。电阻元件，用符号R表示。（a）固定电阻（b）可调电阻2.电阻元件的特性当有电流流过电阻时，电阻将消耗能量，所以电阻具有耗能的性质，电阻元件把从电源吸收的电能全部转化为热能消耗掉，所以电阻是一个耗能元件，并且电阻消耗电能的过程是不可逆的能量转换过程。R6.1

2、.1电阻元件3.特殊电阻(1)热敏电阻：电阻值随温度升高而减少的热敏电阻称为负温度系数（热敏电阻.(2)压敏电阻：进气压力传感器是由压力转换元件（硅片）、把转换元件输出信号进行放大的混合集成电路和真空室组成。(3)光敏电阻：光敏电阻是利用半导体的光电效应制成的。冷却液温度传感器进气压力传感器6.1.2电感元件1.电感元件的符号电感元件是实际电感器的理想模型，用来表征电路中磁场能储存这一物理性质的理想元。电感元件的电路符号如图所示。2.电感元件的特性电感元件符号当线圈中通过不随时间而变化的恒定电流时，电感元件可

3、视为短路。当电路中有电感器（线圈）存在时，电流通过线圈时会产生比较集中的磁场，因而必须考虑磁场能储存的影响。理想电感元件是不消耗电能的，仅仅把电源输出的电能转变成磁场能并储存在线圈中，所以电感是一个储能元件。6.1.2电感元件3.电感元件在汽车中的应用在汽车电路中电感元件做成各点火线圈。点火线圈能将汽车电源系统提供的低压电，变为高达几千伏甚至上万伏的高压电，用于点燃发动机内的汽油混合气。点火线圈分为开磁路式和闭磁路式两类。开磁路式铁心闭磁路式铁心6.1.3电容元件1.电容元件的符号电容元件是用来表征电路中电场

4、能储存这一物理性质的理想元件。电容元件又称器简称电容，用符号C表示。（a）固定电容（b）可调电容（c）微调电容（d）电解电容2.电容元件的特性当电路中有电容元件存在时，电容元件极板（由绝缘材料隔开的两个金属导体）上会聚集起等量异性电荷。电压越高，聚集的电荷就越多，产生的电场越强，储存的电场能就越多。6.1.3电容元件理想电容元件是不消耗电能的，仅仅把电源输出的电能转变成电场能并储存在两极板之间，所以电容是一个储能元件。当电容元件两端的电压增加时，电场能量增大，在此过程中，电容元件从电源吸收能量（充电过程），当

5、电容元件两端的电压降低时，电场能量减小，即电容元件向电源放还能量（放电过程）。实际的电容器除了有储能作用外，也会消耗一部分电能（反映出电容的漏电），因此实际的电容器元件可以被看成是理想电容元件和理想电阻元件的并联组合。汽车电路中利用电容器充电、放电和隔直流、通交流的特性，在电路中用于隔直流、耦合交流、旁路交流、滤波、定时和组成振荡电路等。6.2半导体器件6.2.1半导体的基本知识6.2.2半导体二极管6.2.3特殊二极管6.2.4半导体三极管6.2.5晶闸管6.2.1半导体的基本知识半导体的导电性能介于导体和

6、绝缘体之间，但是因为它具有热敏性、光敏性和掺杂性，由半导体制成的各种电子器件得到了非常广泛的应用。(1)热敏性：半导体的导电性能随着温度发生明显的改变。利用热敏性可制作成各种热敏电阻，用于控制系统和温度测量等。(2)光敏性：半导体的导电性能对光照比较敏感。利用光敏性可制作成光电二极管、光电三极管及光敏电阻等多种类型的光电器件，广泛地应用于自动控制和电子设备中。(3)掺杂性：在纯净的半导体中掺入极少量的杂质元素，将会极大地改变半导体的导电性能。利用掺杂性可制作成各种不同用途的半导体器件。6.2.1半导体的基本知

7、识1.本征半导体本征半导体指的是完全纯净，结构完整的半导体。本征半导体中虽然有大量的价电子，但它们都不能自由移动，也不能参与导电。当半导体的温度升高或者受到光线照射等外界因素的影响时，共价键中的某些价电子获得能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子；与此同时，原共价键中的相应位置留下空位，称作“空穴”，自由电子和空穴总是成对出现的，自由电子和空穴的数目总是相等的，对外呈电中性。这种在热或光的作用下，本征半导体中产生电子空穴对的现象称为本征激发如果把空穴看成带正电的载流子，那么空穴的移动与带负电的价电子反方向移动的效

8、果是相同的。6.2.1半导体的基本知识2.杂质半导体（1）型半导体在纯净半导体中掺入微量的五价元素(如磷)后，就可形成型半导体。（2）型半导体在纯净半导体中掺入微量的三价元素(如硼)后，就可形成型半导体。N型半导体共价键结构P型半导体共价键结构6.2.1半导体的基本知识3.PN结(1)PN结的形成在一块本征半导体上，通过一定的掺杂工艺，一边形成N型半导体，一边形成P型半导体，那么在交界面处将形成一个