模拟电子技术基础教学课件 作者 任英玉第3章场效应管及其放大电路3.2绝缘栅场效应管.ppt

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1、3.2绝缘栅场效应管1.结构GDSBGDSB3.2.1N沟道增强型MOS管的结构和工作原理增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结2.工作原理3.2绝缘栅场效应管(b)uGS0仍无沟道出现无沟道出现(c)uGS≥UGS（th），uDS=0（1）栅源电压uGS的控制作用漏极和源极之间出现导电沟道3.2绝缘栅场效应管（2）漏源电压uDS的控制作用当uGS≥UGS(th)，且为某一固定值时，uDS变化对沟道的宽窄有影响uGD>UGS（th）uGD=UGS（th）uGD=uGS-uDS3.

2、2绝缘栅场效应管3.2.2N沟道增强型MOS管的特性曲线及参数1.输出特性曲线（1）截止区。uGS

3、能力弱，曲线平坦。uGD=uGS-uDSuGD≤UGS（th）转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。2.转移特性曲线3.2绝缘栅场效应管式中IDO为uGS=2UGS(th)时的漏极电流iD。掺杂了大量的杂质正离子3.2绝缘栅场效应管3.2.3N沟道耗尽型MOS管结型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型3.2绝缘栅场效应管iDiDiDiDuGSuGSuDS-uDSUGSUGS绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型场效应管伏安特性曲线3.2绝缘栅场效应管iDuGSiDuDSUGSiDiD-

4、uDSUGSuGS绝缘栅场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型3.2绝缘栅场效应管iDiDuGS-uDSuGSiDiDuDSUGSUGS3.2绝缘栅场效应管【例3.2.1】已知FET特性曲线如图，试说明FET类型，并分别确定UGS（off）、UGS（th）和IDSS、IDO的数值。设iD流入漏极为参考方向。(d)P沟道增强型MOS管，UGS（th）=-2V，IDO=-1mA。(a)P沟道增强型MOS管，UGS（th）=-2V。（b）P沟道结型场效应管，UGS（off）=3V，IDSS=2mA。（c）P沟道耗尽型MOS管，UGS（off）=4V，IDSS=

5、-2mA。