07半导体第七章习题解答

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1、第七章金属-半导体（MS）接触1、接触电势差，Al-CuAl电位高于Cu电位Au-CuCu电位高于Au电位W-AlAl电位高于W电位Cu-AgAg电位等于Cu电位Al-AuAl电位高于Au电位Mo-WMo电位高于W电位Au-PtAu电位高于Pt电位2、A、C金属的接触电势差B、C金属的接触电势差若温度相等，A、B金属的接触电势差与金属C无关，3、在不考虑界面态的情况下，与Al接触的接触电势差，N型硅功函数Al电位高于N型半导体电位，半导体表面形成N型反阻挡层在不考虑界面态的情况下，与Au接触的接触电势差，Au电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层在不考虑界面态的情况下，

2、与Pt接触的接触电势差，Pt电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层4、P型硅功函数在不考虑界面态的情况下，与Al接触的接触电势差，Al电位高于P型半导体电位，半导体表面形成P型阻挡层在不考虑界面态的情况下，与Au接触的接触电势差，Au电位低于P型半导体电位，半导体表面形成P型反阻挡层在不考虑界面态的情况下，与Pt接触的接触电势差，Au电位低于P型半导体电位，半导体表面形成P型反阻挡层5、红光波长，对应光子能量，紫光波长，对应光子能量，红光照射金属时，不能从金属激发光电子到真空中。紫光照射金属时，能从金属激发光电子到真空中，光电子的能量为，波长185nm紫外光照射金属时，

3、从金属激发真空中的光电子能量为，6、肖特基势垒高度即从半导体一侧看过去的势垒高度N型阻挡层加反向电压时的空间电荷区宽度（势垒区宽度），7、由热电子发射模型得到的反向饱和电流密度，由表7-4，得到锗（111）面对应的有效理查逊常数，室温下，反向饱和电流密度，8、正向电流密度，室温下，