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时间:2017-11-27
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1、第七章金属-半导体(MS)接触1、接触电势差,Al-CuAl电位高于Cu电位Au-CuCu电位高于Au电位W-AlAl电位高于W电位Cu-AgAg电位等于Cu电位Al-AuAl电位高于Au电位Mo-WMo电位高于W电位Au-PtAu电位高于Pt电位2、A、C金属的接触电势差B、C金属的接触电势差若温度相等,A、B金属的接触电势差与金属C无关,3、在不考虑界面态的情况下,与Al接触的接触电势差,N型硅功函数Al电位高于N型半导体电位,半导体表面形成N型反阻挡层在不考虑界面态的情况下,与Au接触的接触电势差,Au电位低于N型半导体电位,半导体表面形成N型阻挡层在不考虑界面态的情况下,
2、与Pt接触的接触电势差,Pt电位低于N型半导体电位,半导体表面形成N型阻挡层4、P型硅功函数在不考虑界面态的情况下,与Al接触的接触电势差,Al电位高于P型半导体电位,半导体表面形成P型阻挡层在不考虑界面态的情况下,与Au接触的接触电势差,Au电位低于P型半导体电位,半导体表面形成P型反阻挡层在不考虑界面态的情况下,与Pt接触的接触电势差,Au电位低于P型半导体电位,半导体表面形成P型反阻挡层5、红光波长,对应光子能量,紫光波长,对应光子能量,红光照射金属时,不能从金属激发光电子到真空中。紫光照射金属时,能从金属激发光电子到真空中,光电子的能量为,波长185nm紫外光照射金属时,
3、从金属激发真空中的光电子能量为,6、肖特基势垒高度即从半导体一侧看过去的势垒高度N型阻挡层加反向电压时的空间电荷区宽度(势垒区宽度),7、由热电子发射模型得到的反向饱和电流密度,由表7-4,得到锗(111)面对应的有效理查逊常数,室温下,反向饱和电流密度,8、正向电流密度,室温下,
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