IGBT、晶闸管(可控硅)、MOS场效应管的测量.doc

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1、IGBT、晶闸管（可控硅）、MOS场效应管的测量IGBT好坏判断：将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的漏极（D），红表笔接IGBT的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT是好的。注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K

2、Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。场效应管好坏的简单判断：用机械万用表的R×1挡，红表笔接场效应管的漏极D，黑表笔接源极s，这时表针应该摆在中间位置，除这样测量有阻值以外，其余各脚问都不应该有阻值，然后交换表笔，黑表笔接D，红表笔接s，万用表置高阻挡(内部电池电压高)，用左手的食指触摸一下G极，此时表针如果摆动到接近零位，说明场效应管是好的。晶闸管(可控硅)的好坏判断：1、将万用表拨在R×1Ω挡，黑笔接A(阳极)，红笔接K（阴极），指针不动；2、短接A（阳极）

3、、G（控制极），指针向右摆动，读数为几十Ω；3、断开导线，读数不变，指针保持不动；4、短接G(控制极)、K（阴极），指针回归到原位置无穷大处。场效应管的好坏判断：1、R×10KΩ档，黑笔接G，红笔接S，充电3秒，指针不动；2、黑笔接D，红笔接S，指针回摆到0Ω附近，说明触发成功；3、红笔接G，黑笔接S，指针在左边无穷大处；4、黑笔接D，红笔接S，指针在左边无穷大处，说明MOS管是好的。用万用表R×10KΩ档，把黑笔接栅极G，红笔接源极S，给栅极、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转；再改用万用表R×1Ω档，将黑笔接漏极D，红笔接源极S，万用表指示值若为几Ω，则说明场效应管是好的。