微机原理及应用第3章.ppt

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1、第3章半导体存储器3.1概述3.2典型存储器芯片介绍3.3存储器的扩展及其与CPU的连接3.4高速缓冲存储器Cache第3章半导体存储器1了解存储器的管理方法。掌握80x86系列微处理器的存储器管理机制。学习目的、要求2一、三个概念运算器控制器寄存器组内存储器系统总线输入输出接口电路外部设备软件微处理器微型计算机微型计算机系统明确3个概念的区别微处理器内存I/O接口“一个中心，两个基本点”4主存(内存)：用于存放当前正在运行的程序和正待处理数据。(CPU内部cache，主板上的内存,造价高，速度快，存储容量小)辅存(外存)：存放暂不运行的程序和输入处理的数据，(主机箱内或主机箱外，造价低

2、，容量大，可长期保存，但速度慢)微机的存储器分：内存和外存3.1概述5一、存储器的分类按存储载体材料分按存储器和CPU的关系分按存储器的读写功能分类（或按存储信息的功能）按数据传送方式分类半导体材料磁性材料光介质材料内存储器外存储器高速缓冲存储器Cache读写存储器RAM只读存储器ROM并行存储器PM串行存储器SM61、存储容量用某一芯片有多少个存储单元，每个存储单元存储若干位来表示，是以bit为单位的。存储容量=单元数×位数=2M×N2、存取时间即存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。3、其它指标可靠性、功耗、价格等…二、存储器的性能指标7[例]指出存储芯片的地址线和数据线条数：①512×

3、4②1K×4③2K×1④8K×8说明941041111388一、半导体存储器半导体存储器只读存储器（ROM）随机存取存储器（RAM）掩膜式ROM一次性可编程ROM（PROM）紫外线擦除可编程ROM（EPROM）电擦除可编程ROM（EEPROM）闪速存储器（FlashMemory）3.2典型存储器芯片介绍静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM）非易失RAM（NVRAM）1、分类92、半导体存储器的结构地址寄存地址译码存储体控制电路AB数据寄存读写电路DBOEWECS103、地址译码电路译码器A5A4A3A2A1A06301存储单元64个单元行译码A2A1A0710列译码A3A4A501764

4、个单元单译码双译码111、随机存取存储器静态RAMSRAM2114SRAM6264动态RAMDRAM4116DRAM2164二、常用存储器芯片12（1）SRAM芯片6264存储容量为8K×8位28个引脚：13根地址线A12～A08根数据线D7～D0片选CS1*、CS2读写WE*、OE*+5VWE*CS2A8A9A11OE*A10CS1*D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND1234567891011121314282726252423222120191817161513SRAM6264的功能工作方式CS1*CS2WE*OE*D7～D0未选中未选中读操作

5、写操作1×00×011××10××01高阻高阻输出输入14(2)DRAM芯片2164存储容量为64K×1位16个引脚：8根地址线A7～A01根数据输入线DIN1根数据输出线DOUT行地址选通RAS*列地址选通CAS*读写控制WE*NCDINWE*RAS*A0A2A1GNDVSSCAS*DOUTA6A3A4A5A712345678161514131211109152、只读存储器EPROMEPROM2716EPROM2764EEPROMEEPROM2817AEEPROM2864A16EEPROM芯片2864A存储容量为8K×828个引脚：13根地址线A12～A08根数据线I/O7～I/O0片选CE

6、*读写OE*、WE*VccWE*NCA8A9A11OE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GND1234567891011121314282726252423222120191817161517EEPROM2864A的功能工作方式CE*OE*WE*I/O7～I/O0读出维持写入数据查询01000×101×负脉冲1输出高阻输入输出18这是本章的重点内容译码方法同样适合I/O端口3.3存储器扩展及其与CPU的连接19一、存储器容量扩展1、位扩展加大字长[例]用8个16K×1bit芯片组成16K×8bit的存储器。…

7、…A0A13…D0D1D2D716K×1CSCSCSCSWEWEWEWE16K×1D0D1D2D7将多片存储器的地址、片选、读/写端相应并联，数据端单独引出。202、字扩展扩大地址[例]用4个16K×4bit芯片组成64K×4bit的存储器。CSWECSWECSWECSWE16K×416K×416K×416K×4…A0A13………WED0D1D2D3译码器A14A150123D0~D3D0~D3D