微机接口第5章-2.ppt

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1、1第5章存储器系统第十四讲复习一、微型机的存储系统二、半导体存储器的基本概念三、存储器的分类及其特点四、两类半导体存储器的主要技术指标五、随机存取存储器（一）静态存储器SRAM3（2）部分地址译码特点：用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信号；使被选中存储器芯片占有几组不同的地址范围。同一物理存储器占用两组地址：A18不参与译码F0000H~F1FFFHB0000H~B1FFFH4部分地址译码例两组地址：F0000H——F1FFFHB0000H——B1FFFHA19A17A16A15A14A13&16264CS1111000高位地址：1×110001011000，111100

2、055.SRAM存储器接口设计例将SRAM6264芯片与系统连接，使其地址范围为：38000H~39FFFH。使用74LS138译码器构成译码电路。6存储器接口设计例由题知地址范围：00111000………000111001………1高位地址A19A12A07应用举例D0~D7A0A12•••WEOECS1CS2•••A0A12MEMWMEMRD0~D7A19G1G2AG2BCBA&&A18A14A13A17A16A15VCCY08二、动态随机存储器DRAM91.DRAM的特点存储元主要由电容构成；主要特点：存储信息不稳定，需要定时刷新。存储容量高，存取速度较低，价格便宜。DRAM芯片

3、主要用作主内存。102.典型DRAM芯片2164A2164A：64K×1bit采用行地址和列地址来确定一个单元；行列地址分时传送，共用一组地址信号线；地址信号线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。11主要引线行地址选通信号。用于锁存行地址；列地址选通信号。地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们分别在#RAS和#CAS有效期间被锁存在锁存器中。DIN：数据输入DOUT：数据输出WE=0WE=1WE：写允许信号RAS：CAS：数据写入数据读出123.2164A在系统中的连接与系统连接图存储体132164A在系统中的连接DRAM2164A与系统连接的几点说明：芯片上的每个单元中只存

4、放1位二进制码，每字节数据分别存放在8片芯片中；系统的每一次访存操作需同时访问8片2164A芯片，该8片芯片必须具有完全相同的地址；芯片的地址选择是按行、列分时传送，由系统的低8位送出行地址，高8位送出列地址。结论：每8片2164A构成一个存储体（单独一片则无意义）；每个存储体内的所有芯片具有相同的地址（片内地址），应同时被选中，仅有数据信号由各片分别引出。三、存储器扩展技术（内存储器设计）151.存储器扩展用多片存储芯片构成一个需要的内存空间；各存储器芯片在整个内存中占据不同的地址范围；任一时刻仅有一片（或一组）被选中。存储器芯片的存储容量等于：单元数×每单元的位数字节数字长扩展

5、单元扩展字长162.存储器扩展方法位扩展字扩展字位扩展扩展字长扩展单元数既扩展字长也扩展单元数17位扩展构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时——需进行位扩展。位扩展：每单元字长的扩展。18位扩展例用8片64k1位2164A芯片构成64KB存储器。LS158A0~A7A8~A152164A64k12164A64k12164A64k1DBABD0D1D70000HFFFFH.…19位扩展方法：将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。位扩展特点：存储器的单元数不变，位数增加。20字扩展地址空间的扩展芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。扩展原则：每个芯片的地址线、数据线

6、、控制线并联。每个芯片必须有不同的地址范围。芯片的片选端必须分别引出21A0～A10DBABD0～D7A0~A10R/WCS2K×8D0～D7A0～A102K×8D0～D7D0～D7A0~A10CS译码器Y0Y1高位地址R/W字扩展示意图22字扩展例用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器两芯片的地址范围分别为：20000H～2FFFFH30000H～3FFFFH23字扩展例G1G2AG2BCBAY2Y3&MEMRMEMWA19A18A17A1674LS138高位地址：芯片1：0010芯片2：0011A19A18A17A16芯片1芯片2例:用两片64K×8位的S

7、RAM芯片构成容量为128KB的存储器两片芯片的地址范围分别为：20000H～2FFFFH和30000H～3FFFFH。25字位扩展设计过程：根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数；进行位扩展以满足字长要求；进行字扩展以满足容量要求。若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M×N的存储器，需要的芯片数为：（M/L）×（N/K）26字位扩展例例：用4K×1位的芯片组成16KB的存储器。位扩展：4KB——8片字扩展：16KB——48=32片访问16KB存储空间：地址线