《分立发光中心》PPT课件.ppt

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1、1第6章分立发光中心1某些半导体只有通过掺杂才能获得高效发光（ZnS:Cu)2半导体带间跃只能产生一种发光颜色，掺杂可获得多种颜色(ZnS:Re)发光中心是指半导体中杂质或杂质与缺陷形成的复合体，其中进行辐射复合，产生特征发光。发光中心分类根据激发的电子是否进入导带划分1、分立发光中心——激发的电子不会离开发光中心2、复合发光中心——激发的电子离开发光中心，进入导带激发的电子可以不和晶格共有，对晶体的导电性没有贡献周围晶格离子对发光中心只起次要的、也就是微扰的作用受到晶格的影响较小（单个离子，如Re3+）作为发光中心的主要部分，能级结构基本保留自由离子的情况有的受的影

2、响大一些（离子团，如：WO42-、ZnSiO4:Mn中的Mn2+）中心的发射光谱和自由离子不一样在考虑了周围离子的作用后，还能找出对应的关系电子即使处于激发态，也不会离开中心。分立发光中心分立中心特点复合发光中心激发后电子就会进入导带产生光电导发光的光谱和激活剂的能级结构基本没有什么关系（与激活剂离子的光谱（支）项无关），离子仅起杂质能级的作用电子和空穴通过这类中心复合发光发光的光谱主要取决于整个晶体的能谱，杂质起微扰作用下一章介绍大多数荧光粉属于分立发光中心发光，分立发光中心离子的种类也很多6.1、晶格振动对电子跃迁的影响发光中心周围离子所产生的静电场，通常称为晶体

3、场，简称为晶场6.2、晶体场考虑p1电子处于D4h晶场中的情况六个离子对px和py态电子的排斥情况一样但对pz态电子的排斥情况不同px和py态电子能量一样，增大多一些pz态电子能量增大小一些p1电子的能量不再是简并化的分裂为两组——能级劈裂晶体场可导致简并能级劈裂结论6.3过渡金属离子d1电子组态的晶场劈裂过渡金属离子光学跃迁的光谱位置受晶体场的强度影响显著Ti3+（3d1）离子在水溶液中的吸收光谱过渡金属离子的光谱1）d1组态2T2→2E跃迁能级差等于晶体场分裂能宇称禁戒的跃迁，吸收弱，颜色浅Ti3+在近红外区发生2E→2T2的宽带发射（钛—蓝宝石激光器）d3电子组

4、态的晶场劈裂2）d3组态基态能级为4A2满足∆S=0的跃迁为Cr3+，3d3在氧化物中的吸收光谱低强度吸收（宇称禁戒）在Al2O3:Cr3+中跃迁发射来自于2E→4A2激发态寿命为几个毫秒d5电子组态的晶场劈裂MnF2的吸收光谱3）d5组态基态能级6A1所有的光吸收跃迁都既是宇称禁戒的又是自旋禁戒的谱带的宽度是由于振动的偶合而引起的发射对应于4T1→6A1宽带波长取决于基质晶格发射光颜色从绿到深红衰减时间为毫秒数量级晶场的强度因振动不同而异如果激发态能级和基态能级平行，得到窄带谱反之，就得到宽带谱。6.4稀土离子（4fn）镧系元素（Ln）{元素周期表中从镧（La）到镥

5、（Lu）的15个元素加上同组（IIIB）的钪（Sc）和钇（Y）共17个元素称为稀土元素（RE）电子组态镧系元素的电子组态为1s22s22p63s23p63d104s24p64d104fn5s25p65dm6s2简记为[Xe]4fn5dm6s2（n=0~14，m=0或1）三价镧系离子（Ln3+）的电子组态为1s22s22p63s23p63d104s24p64d104fn5s25p6简记为：[Xe]4fn5s25p6（n=0~14）光谱项基态能级2S+1LJ，当4f电子数大于7时，J=L+S当4f电子数小于7时，J=L-S如Eu3+，根据洪特规则，能量最低的光谱项为7F，

6、电子数为6个，小于7，J=L-S=3-3=0，基态能级为7F0宇称禁戒（Re2O3通常为白色）线状光谱，强度低A）4fn组态内跃迁如果稀土离子没有处于晶格的反演对称格位，宇称禁戒选律就得以部分放宽，在4f能级间就可以发生电偶极子跃迁受迫电偶极跃迁∆J=0，±2，±4，…（J=0→J=0禁戒）∆J=0，±2（J=0→J=0禁戒）超灵敏受迫电偶极跃迁Re3+稀土荧光粉的激发Y2O3:Eu的吸收光谱（激发光谱）基质吸收Re3+(4f)吸收电荷迁移跃迁吸收4f-5d跃迁吸收Y2O2S:Eu中Eu3+的4f态和电荷迁移态电荷迁移态通过无辐射跃迁途径向4f激发态提供粒子，然后由4

7、f的激发态跃迁回基态而发光稀土离子的4f→5d跃迁和电荷迁移跃迁4f55d允许的电偶极跃迁，寿命短电荷迁移跃迁（CT）4f→5d跃迁Sm3+，Eu3+，Tm3+，Yb3+，和Ce4+，Pr4+，Tb4+，Dy4+，Nd4+Sm2+，Eu2+，Tm2+，Yb2+，和Ce3+，Pr3+，Tb3+Ce3+在几种晶体中的发光光谱带谱位置差别很大（晶场劈裂）Eu2+（4f7）在几种晶体中的发光光谱改变晶格可改变5d的位置可使Eu2+的发光位置落在从红到蓝的任何位置如果5d的位置提高，也可能发生4f→4f线谱在三种不同温度下(Sr,Eu)B4O7的发射光谱4.2