《TFT驱动原理》PPT课件.ppt

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1、TFT電路圖comITOCLC液晶电容TFTSubtrateCFSubtrateTFTITOCFITO液晶电容ＣＳＳＤＧＤataLineGatelineSnGm单一画素结构储存电容CSTFTLDatalineGatelineITO储存电容CSTFTSubstrate:GlassLayer1(M1):Mental1、Gateline&CommonlineLayer2:----Layer2_1(SINX):SiliconNitride----Layer2_2(IN):AmorphousSilicon----Layer2

2、_3(N+):N+Layer3(M2):Mental2、Source、Drain、DatalineLayer4(PASS):PasivationLayer5(ITO):In_Tin_OxideH007CsonCom(ComonGND)第一层：Gateline(M1):扫描线，它决定TFT的开与关，也就是决定画面的更新第二和第四层：它是绝缘层起到保护和隔离的作用在第二层中的IN和N+:他们构成一中导电沟道，TFT工作时有电流通过第三层：Dataline(M2):信号线，它决定每个Pixel所要到达的电压值，由于液晶　

3、　电容的电势差能够决定Pixel的亮度，所以Dataline信号线是决定Pixel的亮和暗第五层：ITO:它是一个透明的导电层，Pixel之电极板,可用來控制液晶,以决定pixel透光程度五层之基本功用datelinegateline储存电容单一画素结构等效前gateCsTFT画素电极LC等效电路1.上图为TFT一个画素的等效电路图，扫描线连接同一列所有TFT闸极(Gate)电极，而信号线连接同一行所有TFT源极(Source)电极。GSDTFT的工作原理等效后的电路图TFTITOCFITO液晶电容ＣＳＳＤＧＤat

4、aLineGateline认识TFT1.TFT为一个三端子组件。2.在LCD的应用上可将其视为一开关。MOSFET的特性是什么？SDG氧化层P+型衬底N+P+N+N型导电沟道SGD氧化层N沟道剖面图1、这是N沟道型MOS的剖面图，当GS加有电压且大于他的起始电压的时候，则在N沟道中就感应出自由电子，然后当DS之间加有电压的时候，就产生了电流MOSFET的相关特性MOS电流电压特性一VgsVth：形成感应通道Ids>0影响Ids之重要参数Vth

5、VgsSDG1、故TFT组件可看成开关,当VGS>Vth则ON,当VGS起始电压Vth),使通道感应出电子而使得源极(Source)汲极(Drain)导通。从而就可以讯号写入，也就是TFT读取了讯号．【注】：Vth为感应出电子所需最小电压。TFT讯号的读取与保持SDGVgsVdsDSGGDSCLCcom讯号读取DSGGDSCLCcom讯号保持SDGVgsVds３、TFT组件在Gate—Source给予适当电压(注：VGS<起始电压

6、Vth),没有感应出载子则通道成断路。【注】：Vth为感应出电子所需最小电压。一）：当Gateline送入讯号，即Vg接受电压，使S、D之间感应出自由电子；二）：Dataline送入讯号，使S、D之间导通，讯号使液晶动作，以此来决定画素的亮暗，同时给储存电容充电；三）：当Gateline讯号扫描完，则Vg电压消失，开关断开，使Dataline讯号无法送入；四）：由于储存电容在之前得到充电，则在Vg电压消失后，由储存电容放电来维持画素的亮暗。液晶电容TFTITOCFITO液晶电容ＣＳＳＤＧＤataLineGateli

7、ne