COMSIC制造工艺流程.ppt

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1、第七章COMSIC制造工艺流程主要内容1.典型的亚微米CMOSIC制造流程图；2.描述CMOS制造工艺14个步骤的主要目的；4.讨论每一步CMOS制造流程的关键工艺。Figure7-CMOS工艺流程中的主要制造步骤Oxidation(Fieldoxide)SiliconsubstrateSilicondioxideoxygenPhotoresistDevelopoxidePhotoresistCoatingphotoresistMask-WaferAlignmentandExposureMask

2、UVlightExposedPhotoresistexposedphotoresistGSDActiveRegionstopnitrideSDGsiliconnitrideNitrideDepositionContactholesSDGContactEtchIonImplantationresistoxDGScanningionbeamSMetalDepositionandEtchdrainSDGMetalcontactsPolysiliconDepositionpolysiliconSilan

3、egasDopantgasOxidation(Gateoxide)gateoxideoxygenPhotoresistStripoxideRFPowerIonizedoxygengasOxideEtchphotoresistoxideRFPowerIonizedCF4gasPolysiliconMaskandEtchRFPoweroxideIonizedCCl4gaspolygateRFPowerFigure7-1.双井工艺2.浅槽隔离工艺3.多晶硅栅结构工艺4.轻掺杂漏(LDD)注入工艺5.侧

4、墙的形成6.源/漏（S/D）注入工艺7.接触孔的形成8.局部互连工艺9.通孔1和金属塞1的形成10.金属1互连的形成11.通孔2和金属2的形成12.金属2互连的形成13.制作金属3、压点及合金14.参数测试PassivationlayerBondingpadmetalp+SiliconsubstrateLIoxideSTIn-wellp-wellILD-1ILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3M-4Polygatep-Epitaxiallayerp+ILD-6LImetalV

5、iap+p+n+n+n+2314567891011121314CMOS制作步骤Figure7-一、双井工艺n-wellFormation1）外延生长2）厚氧化生长保护外延层免受污染；阻止了在注入过程中对硅片的过渡损伤；作为氧化物屏蔽层，有助于控制注入过程中杂质的注入深度。3）第一层掩膜4）n井注入（高能）5）退火Figure7-p-wellFormation1）第二层掩膜2）P井注入(高能)3）退火Figure7-二、浅曹隔离工艺STI槽刻蚀1）隔离氧化层2）氮化物淀积3）第三层掩膜，浅曹隔离

6、4）STI槽刻蚀（氮化硅的作用：坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区；在CMP中充当抛光的阻挡材料。）Figure7-STIOxideFill1）沟槽衬垫氧化硅2）沟槽CVD氧化物填充Figure7-STIFormation1）浅槽氧化物抛光（化学机械抛光）2）氮化物去除Figure7-三、PolyGateStructureProcess晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结

7、构。1）栅氧化层的生长2）多晶硅淀积3）第四层掩膜，多晶硅栅4）多晶硅栅刻蚀Figure7-四、轻掺杂；漏注入工艺随着栅的宽度不断减小，栅下的沟道长度也不断减小。这就增加源漏间电荷穿通的可能性，并引起不希望的沟道漏电流。LDD工艺就是为了减少这些沟道漏电流的发生。n-LDDImplant1）第五层掩膜2）n-LDD注入（低能量，浅结）Figure7-p-LDDImplant1）第六层掩膜2）P-轻掺杂漏注入（低能量，浅结）Figure7-五、侧墙的形成侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏（S

8、/D）注入过于接近沟道以致可能发生的源漏穿通。1）淀积二氧化硅2）二氧化硅反刻Figure7-六、源/漏注入工艺n+Source/DrainImplant1）第七层掩膜2）n+源/漏注入Figure7-p+Source/DrainImplant1)第八层掩膜2）P＋源漏注入（中等能量）3）退火Figure7-七、接触（孔）的形成钛金属接触的主要步骤1）钛的淀积2）退火3）刻蚀金属钛Figure7-八、局部互连工艺LI氧化硅介质的形成1）氮化硅化学气相淀积2）掺杂氧化物的化学气相淀积3）氧化层抛光