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时间:2020-03-25
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1、第八章半导体表面与MIS结构Semiconductorsurfaceandmetal-insulator-semiconductorstructure沈阳工业大学电子科学与技术系重点:表面态概念表面电场效应MIS结构电容-电压特性硅-二氧化硅系统性质Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Evaluationonly.CreatedwithAs
2、pose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.金属栅电极绝缘层VGVGC0Cs半导体MIS结构等效电路MIS结构Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3
3、.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.§8.1表面态理想表面:表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同,且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。晶格周期性在表面处中断或其它因素而引起的局(定)域在表面附近的电子态。理想表面上形成的表面态称为达姆表面态。表面态:与表面态相应的能级称为表面能级。分布在禁带内的表面能级,彼此靠得很近,形成准连续的分布。表面能级:Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slid
4、esfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.§8.2表面电场效应EffectofSurfaceElectric多子积累状态耗尽状态反型状态Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor
5、.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.理想MIS结构(1)Wm=Ws;(2)绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电;(3)绝缘层与半导体界面处不存在界面态;(4)由均匀半导体构成,无边缘电场效应。金属栅电极绝缘层VGVGC0Cs半导体
6、MIS结构等效电路EcEFEV金属半导体Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.1、空间电荷层(表面电荷层)及表面势表面电荷层:MIS结构外加偏
7、压之后,在绝缘层一侧的半导体表面附近形成的电荷区称为表面电荷层。表面势(Vs):半导体表面电荷层两端的电势差称为表面势。规定:表面电势比体内高时,Vs取正值;表面电势比体内低时,Vs取负值。Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientPro
8、file5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLtd.ECEVEiEFsVG<0QsQmP型半导体(1)多数载流子堆积状态(1)能带向上弯曲并接近EF;(2)多子在半导体表面积累,越接近半导体表面多子浓度越高。特征Evaluationonly.CreatedwithAspose.Slidesfor.NET3.5ClientProfile5.2.0.0.Copyright2004-2011AsposePtyLt
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