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时间:2020-03-25
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1、·4·煤矿机电2010年第1期开关磁阻电机功率变换器驱动电路研究王增国,杨玉岗,杨帆(辽宁工程技术大学,辽宁葫芦岛125105)摘要:基于自举式IR2110集成驱动芯片的驱动原理,设计了开关磁阻电机功率变换器驱动电路和相应的开关电源电路,不仅简化了逻辑电路对功率器件的控制要求,而且提高了驱动电路的可靠性,缩小控制板的尺寸。经仿真和实际使用,达到了设计要求。关键词:开关磁阻电机;芯片IR2110;电压型功率器件IGBT;驱动;自举电容;开关电源中图分类号:TP212文献标识码:B文章编号:1001-0874(2010101—0004—05InvestigationontheP
2、owerConverterDrivingCircuitofSwitchedReluctanceDriverWANGZeng-guo,YANGYu—g口,lg,YANGFan(LiaoningTechnicalUniversity,Huhdao125105,China)Abstract:BasedonthedrivingprincipleofbootstrapIR2110integrateddrivingIC,designsthedrivingcircuitandthecorrespondingpowersupplycircuitofpowerconverterofswitc
3、hedreluctancedriver,notonlysimplifiesthecontrolrequirementsoflogiccircuitforpowerdevices,butalsoimprovesthereliabilityofdrivecircuitandreducesthesizeofcontrolboard.Thesimulationandpracticaluseshowthatthedesignrequirementsaleachieved.Keywords:switchedreluctancedriver;IR2110;IsolatedGateBipo
4、larTransistor(IGBT);drivingcircuit;bootstrapcapacitance;switchpowercircuit1概述对于驱动MOSFET和IGBT电压型功率器件,国内、外已推出了多种具有保护功能的智能驱动器。本文6/4极开关磁阻电机功率变换器采用不对称半桥功率变换器,如图1所示。A相中,当Ⅵ’1、Ⅵ’2同时闭合时,相绕组充电;当VTl、V他同时闭合时,相绕组通过VDl、VD2续流回馈能量。IR21lO芯片是一种双通道、栅极驱动、高压高速功率器件的单片式集成驱动模块,该芯片采用高度集成的电平转换技术,既大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要
5、求,又提高了驱动电路的可靠性,尤其是上管采用外部自举电容上电,使得驱动电源数目较其它Ic大大减少。基于IR2110的这些特点,采用3片IR2110来驱动不对称半桥功率变换器3个桥臂中的6个IGBT模块,给出了供电电源的设计,从而在工程上大大减少了控制变压器的体积和电源数目,降低了产品成本,提高了系统可靠性。图1不对称半桥功率变换器原理图2功率变换器IGBT驱动电路设计(1)c2容量选择IR2110的典型电路如图2所示,其中%。采用5—20V电源,适用于TTL或CMOS逻辑信号输入,K。为10—20V功率管门极驱动电源,由于‰可与2010年第1期煤矿机电·5·%oHINSDL
6、fNVSSVCC图2IR2110的典型电路图COM连接,故K。与%。可共用同一个典型值为+15V的电源。图2中,c2为自举电容,K。经VDI、C2、负载、V他给c2充电,以确保VT2关闭、VTl开通时,VTI管的栅极靠C:上足够的储能来驱动,从而实现自举式驱动。若负载阻抗较大,c2经负载降压而充电较慢,使得V他关断vTl开通,C2上的电压充电不到自举电压8.3V以上时,输出电压也将充电不到自举电压8.3V以上,这样,输出驱动信号会因欠压而被片内逻辑封锁,VTl就无法正常工作。为此,就要选用小容量电容,以提高充电电压,或者为c2提供快速充电通路也可取掉VDI,直接给VB、Vs
7、加另一个lO一20V隔离电源。显然,每个周期、r1’1开关一次,C:就通过V他开关充电一次,因此自举电容c:的充电还与输入信号HIN、LIN的PWM脉冲频率和脉冲宽度有关,当PWM工作频率过低时,若vTl导通的脉宽较窄,自举电压8.3V就容易满足,反之将无法实现自举。因此,要合理设置PWM开关频率和占空比调节范围,G的容量选择应考虑以下几点:超1)PWM开关频率较高时,c2应选的较小。2)尽量使自举上电回路不经大阻抗负载,否则应为C:充电提供快速充电通路。3)对于占空比调节较大的场合,特别是在高占空比时,由于VT2
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