模电全套配套课件ch23.ppt

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1、2.3半导体三极管的基本分析方法引言2.3.2交流分析2.3.1直流分析第2章半导体三极管引　言基本思想非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分。一、分析三极管电路的基本思想和方法直流通路(ui=0)分析静态。交流通路(ui0)分析动态，只考虑变化的电压和电流。画交流通路原则：1.固定不变的电压源都视为短路；2.固定不变的电流源都视为开路；3.视电容对交流信号短路第2章半导体三极管基本方法图解法：在输入、输出特性图上画交、直流负载线，求静态工作点“Q”，分析动态波形及失真等。解析法：根据发射结导通压降估算“Q”。用小信号等效

2、电路法分析计算电路动态参数。第2章半导体三极管二、电量的符号表示规则AAA大写表示电量与时间无关(直流、平均值、有效值)；A小写表示电量随时间变化(瞬时值)。大写表示直流量或总电量(总最大值，总瞬时值)；小写表示交流分量。总瞬时值直流量交流瞬时值交流有效值直流量往往在下标中加注QA—主要符号；A—下标符号。tuOuBE=UBE+ube第2章半导体三极管2.3.1直流分析一、图解分析法+–RBRC+uCE–+uBE+–VCCVBB3V5ViBiC输入直流负载线方程：uCE=VCCiCRCuBE=VBBiBRB输出直流负载线方程：输入回路图解QuBE/ViB/A静

3、态工作点VBBVBB/RB115kUBEQIBQ0.720输出回路图解uCE/ViC/mAVCCVCC/RCO1kQ23UCEQICQOiB=20A第2章半导体三极管二、工程近似分析法+–RBRC+uCE–+uBE+–VCCVBB3V5ViBiC115k1k=100第2章半导体三极管三、电路参数对静态工作点的影响1.改变RB，其他参数不变uBEiBuCEiCVCCVBBVBBRBQQRBiBQ趋近截止区；RBiBQ趋近饱和区。2.改变RC，其他参数不变RCQ趋近饱和区。iCuBEiBuCEVCCUCEQQQICQVCCRC第2章半导体三极管

4、iC0iC=VCC/RC例2.3.1设RB=38k，求VBB=0V、3V时的iC、uCE。+–RBRC+uCE–+uBE+–VCCVBB3V5ViBiC1k[解]uCE/ViC/mAiB=010A20A30A40A50A60A41O235当VBB=0V：iB0，iC0，5VuCE5V当VBB=3V：0.3uCE0.3V0，iC5mA三极管的开关等效电路截止状态SBCEVCC+RCRBiB0uCE5ViB饱和状态uCE0判断是否饱和临界饱和电流ICS和IBS：iB>IBS，则三极管饱和。第2章半导体三极管例2.3.2耗尽型N沟道M

5、OS管，RG=1M，RS=2k，RD=12k，VDD=20V。IDSS=4mA，UGS(off)=–4V，求iD和uO。iG=0uGS=iDRSiD1=4mAiD2=1mAuGS=–8V

6、E–AB第2章半导体三极管例2.3.3硅管，ui=10sint(mV)，RB=176k，RC=1k，VCC=VBB=6V，图解分析各电压、电流值。[解]令ui=0，求静态电流IBQuBE/ViB/AO0.7V30QuiOtuBE/VOtiBIBQ(交流负载线)uCE/ViC/mA41O23iB=10A20304050505Q6直流负载线QQ6OtiCICQUCEQOtuCE/VUcemibicuceRL+–iBiCRBVCCVBBRCC1ui+–+–+uCE+uBE–第2章半导体三极管当ui=0uBE=UBEQiB=IBQiC=ICQuCE=UCEQ当

7、ui=Uimsintib=Ibmsintic=Icmsintuce=–Ucemsintuo=uceiB=IBQ+IbmsintiC=ICQ+IcmsintuCE=UCEQ–Ucemsint=UCEQ+Ucemsin(180°–t)uBE/ViB/A0.7V30QuituBE/VtiBIBQ(交流负载线)uCE/ViC/mA4123iB=10A20304050605Q6直流负载线QQ6tiCICQUCEQtuCE/VUcemibicuceOOOOOO第2章半导体三极管基本共发射极电路的波形：+–iBiCRBVCCVBBRCC1u