微电子工艺考题.doc

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1、一、名词解释1．水汽氧氧化：氧化（氧气）中携带一定量的水气，氧化特性介于干氧与湿氧之间。2．恒定源扩散：在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度Ns始终保持不变。例如，基区、发射区的预淀积，箱法扩散。3．扩散系数：描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。4．外延：一种在单晶或多晶衬底上生长一层单晶或多晶薄膜的技术。5．分辨率：光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸，用来表征光刻的精度。二、简述问答题2.微电子器件对接触和互连有什么要求？获得良好欧姆接触的方法有哪几种？答：对接触和互连有的基本要求有：1）能形成良好的欧姆接触；2）互连材料具有低的电阻率和良好的稳定性；3）可被精细刻蚀；4）易淀积成

2、膜；5）粘附性好；6）强的抗电迁移能力；7)便于键合。获得良好欧姆接触的方法有：1）高掺杂欧姆接触；2）低势垒欧姆接触；3）高复合欧姆接触。4.简述电子束曝光的特点答：1）优点：分辨率比光学曝光高；无需光刻板；曝光自动化，加工精度高；在真空中进行；可直接观察曝光的质量。2)缺点：设备复杂，成本高；产量低；存在邻近效应。5.X光衍射晶体定向的基本原理是什么？答：1）入射角λ应满足：nλ=2dsinθ；2）晶面密勒指数（hkl）应满足：h2+k2+l2=4n-1(n为奇数)，以及h2+k2+l2=4n(n为偶数)。一、名词解释1.Moore定律：集成电路的集成度每3年增长4倍；特征尺寸每3年减小

3、平方根2倍。2.分辨率:表征光刻精度，即光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。3.结深：pn结的几何位置与扩散层表面的距离。5.欧姆接触:当金属与半导体的接触电阻小到可忽略不计时，称为欧姆接触。二、选择与填空题1．在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（A）A.干氧B.湿氧C.水汽氧化2．二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有（B）①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A．②④B.①

4、③C①④D.②③3．离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（A）A.离子注入B.热扩散4．在LPCVD中由于hG>>kS,质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制错（对/错）5．预淀积是在较低温度下（与再分布相比），采用恒定（表面）源扩散方式，在硅片表面扩散一层数量一定按余误差（函数）形式分布的杂质。6．扩散只用于浅结的制备错(对/错)7．不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：①涂胶②前烘③曝光④显影⑤坚膜⑥刻蚀⑦去胶。8．干法刻蚀适用于细(粗/细)线条。9．曝光后显影时感光的胶层溶解了，没有感光的胶层不溶解留下了，这种胶称为正胶。10．CMP是

5、chemicalmechanicalpolishing(化学机械抛光)的英文缩写。11.CVD是chemicalvapordeposition(化学气相淀积)的英文缩写。一、名词解释1.互连:将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块；2.阱:在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相反的区域；3.非桥键氧:在SiO2中只与一个Si原子连接的氧；4.平均投影射程RP:平均投影射程就是射程的平均值，也就是离子注入深度的平均值；5.再分布:将由预淀积引入的杂质作为扩散源，在较高温度下进行扩散。扩散的同时也往往进行氧化。再分布的目的是为了控制表面浓度和扩散深度。二、选择与填空题1．半导体器

6、件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（B）。A.结晶形二氧化硅，B.无定形二氧化硅。2．不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：1.刻蚀、2.前烘、3..显影、4.去胶、5.涂胶、6.曝光、7.坚膜，以下选项排列正确的是：（D）。A.2561437，B.5263471，C.5263741，D.5263714。3．下面选项属于主扩散的作用有（D）。1.调节表面浓度、2.控制进入硅表面内部的杂质总量、3.控制结深，A.1，B.2，C.3，D.1、3。5．在LPCVD中，由于hG>>kS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制对（对/错）。6．曝

7、光后显影时感光的胶层没有溶解，没有感光的胶层溶解，这种胶为负(正/负)胶。7．负胶适于刻蚀粗(细/粗)线条。8．SiN4薄膜在集成电路中的应用主要有：A.钝化膜，B.选择氧化，C.电容介质，由于氮化硅膜介电常数大，所以被用作（C）。9．入射离子的两种能量损失模型为：核碰撞和电子碰撞。10．离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（A）。A.离子注入，B.热扩散。11．杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较