电子技术基础测试题一.doc

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1、电子技术基础测试题一模拟电路部分姓名一、填空题1、理想二极管电路如图所示，试求输出电压UO=。2、测得三极管的三个电极电位为UX=5V，UY=1.2V，UZ=1V，试判断该管的类型。3、在室温附近，温度升高，杂质半导体中的浓度明显增加。4、在室温下，对于掺入相同数量杂质的P型半导体和N型半导体，其导电能力较强的是。5、稳压二极管是利用二极管的特性。6、工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是，流过集电结的电流主要是。（填扩散电流或漂移电流）7、用万用表测量以下数值，说明每个管子是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并说明它们工作在什么

2、区域。（1）UBE=0.7V，UCE=0.3V类型，工作状态（2）UBE=0V，UCE=4V类型，工作状态8、放大电路如图所示，试说明静态工作点变化由什么元件引起的。（1）Q1---Q2（2）Q2---Q39、在共射、共集二种基本放大电路中，输入电阻最大的是，输出电阻最小是，输出电压与输入电压相位相反的是，电压放大倍数最大的是。既有电流放大又有电压放大的是放大电路。10、电路如图所示，求出放大电路的电压放大倍数。11、有两个放大倍数相同的放大电路A和B，分别对同一信号源信号进行放大，其输出电压分别为UOA=5.2V，UOB=5V。由此可得出放

3、大电路优于放大电路。其原因是它的。（A、放大倍数大B、输入电阻大C、输出电阻小）12、在三种耦合电路中，耦合电路各级Q点互相独立，耦合放大电路能放大直流信号。13、电路的频率响应，是指对于不同频率的输入信号，其放大倍数的变化情况。高频时放大倍数下降，主要是因为的影响，低频是放大倍数下降，主要是因为的影响。14、当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约为下降为中频时的倍，或者是下降了分贝。15、为提高放大器的输入电阻并稳定输出电流，应当引用负反馈。16、解释下列名词：正反馈负反馈。17、为稳定输出电流，应引入反馈，为稳定输出电压，应引入反

4、馈，为稳定静态工作点，应引入反馈，为了展宽放大电路频带，应引入反馈。18、差动放大电路主要利用来抑制零漂。19、完全对称的长尾差动放大器中的RE对共模信号反馈，对差模信号反馈。20、共模抑制比KCMR是之比，KCMR越大表明电路。21、为使集成运放处于线性工作区，应当引入负反馈。22、理想集成运放的AVD=，RID=，ROD=、KCMR=。23、集成运放应用于信号运算时工作在区。24、电路如图所示，如集成运放的最大输出电压为12V，电阻R1=10KΩ，RF=390KΩ，R2=R1//RF，输入电压等于0.2V，试求下列各种情况下的输出电压值。

5、（1）正常情况UO=（2）电阻R1开路UO=（3）电阻RF开路UO=25、集成运放作为运算电路和电压比较器，它们的主要区别是：电压比较器运放工作在或，而运算电路中的集成运放工作在，电压比较器输出只有和两个稳定状态。26、产生低频正弦波一般可用振荡电路，产生高频正弦波可用振荡电路，要求频率稳定性很高，则可用振荡电路。27、产生正弦波振荡的条件是、。28、甲类功放电路，其放大管的导通角等于，乙类功放电路，其导通角等于，甲乙类功放电路，其导通角为。29、直流电源通常由、、、组成。二、选择题：（）1、在半导体中掺入三价元素后的半导体称为。A、本征半导

6、体B、P型半导体C、N型半导体D、半导体（）2、少数载流子是空穴的半导体是。A、本征半导体中掺入三价元素，是P型半导体B、本征半导体中掺入三价元素，是N型半导体C、本征半导体中掺入五价元素，是N型半导体D、本征半导体中掺入五价元素，是P型半导体（）3、P型半导体多数载流子是带正电的空穴，所以P型半导体。A、带正电B、带负电C、没法确定D、电中性（）4、PN结加正向电压时，其正向电流是由的。A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成（）5、如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则。A、阻挡层

7、不变，反向电流基本不变B、阻挡层变厚，反向电流基本不变C、阻挡层变窄，反向电流增大D、阻挡层变厚，反向电流减小（）6、三极管参数为PCM=800mW，ICM=100mA，BUCEO=30V，在下列几种情况下，属于正常工作的是。A、UCE=15V，IC=150mAB、UCE=20V，IC=80mAC、UCE=35V，IC=100mAD、UCE=10V，IC=50mA（）7、三极管的安全工作区受极限参数的限制，其中，以下参数超过后管子将极有可能烧坏。A、PCMB、ICMC、BUCEOD、以上都是（）8、两级共E极放大电路，其输入电阻分别为RI1、

8、RI2，则组成二级放大电路的输入电阻为。A、RI=RI1B、RI=RI2C、RI=RI1+RI2D、RI=RI1*RI2（）9、放大器的频率特性如图所示，当工作频率