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1、第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“J”和“X”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体屮如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多了是H由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源问的耗尽层承受反向电压，才能保证其斤GS大的特点。（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的弘s大于零，则其输入电阻会明显变基木不变C.变宽（2）设二极管的端电压为6；则二极管的电流方程是oA.I肘B.Ise
2、u,UrC.人（刖一1）（3）稳压管的稳压区是其工作在oA.正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为0A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（5）氐=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有0A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解：（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC小。（）解：（1）J(2)X(3)V(4)X(5)V(6)X二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。B.A.变窄三、写出图T1.3所示备电路的9+a-6输岀电压值，设二极管导通电压仏2rvrr2
3、Y+/-Ofnu±T-RV2iTDV2-O+5一-0丁DV21—L—Io/?/VV72.o图T1.3解：弘〜1.3V,弘2=0,弘3〜一1.3V,UE2飞,6o5^1.3V,U心一2J五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率AM=200mW,试画出它的过损耗区。图T1.4/t/mA20151050四、L!.知稳FR官IKj稳FR值U?.=6V,稳定电流的最小值Zzmin=5mAo求图T1.4所示电路中6oi和Uq2各为多少伏。解：6o.=6V,仏2=5V。图解图T1.5Tl.5解：根据Am=:200mW可得：6ce=40V时7c=5mA,6ce=30
4、V时Z严6.67mA,&e=20V时Ic=10mA,Uce=10V时A=20mA,将备点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。-4331(T；>,-4605解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型M0S管。根六、电路如图T1.6所示，Vcc=据表屮所示各极电位可判断出它们各H的工作状态，如解表T1.7所示。流、集电极电流和管压降分别为15V,0=100,6'be=0.7V«试问：(1)几=50kQ时，血=?(2)若T临界饱和，则乩〜？解：(1)忆=50kQ时，基极电/c=/?/B=2.6mAUCE=VCC-Zc/?c=2V图
5、T1.60.7V,所以〃盲2号UgS(th>/VUs/V弘/Vft/V工作状态TiTrr*4—513恒流区b'CES—QBE-t2-43310截止区Tj-4605可变电阻区(2)设临界饱和时月I以输出电J—▼cc_Uces艮=2.86mA上=28.6“A0习题1.1选择合适答案填入空内。(1)在本征半导体屮加入七•测得某放大电路屮三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表屮。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。表T1.7元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反
6、向饱和电流将。管号Ugs(th)/Vl/s/V仏/V弘/*・险雄状态4—5不变3(•减小1.4电路如图P1.4所示，已知=5sint(V),二极管导通电压图P1.4(2)工作在放大区的某三极管，如果当厶从12lxA增大到22uA时，人从1mA变为2mA,那么它的0约为0A.83B.91C.100(3)当场效应管的漏极直流电流厶从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将oA.增大B.不变C.减小解：(1)A,C(2)A(3)C(4)A1.2能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电
7、流过大而烧坏。解：⑺和心的波形如解图P1.3所示。标出幅值。1.3电路如图P1.3所示，已知u.=lOsin6?(v),试画出“与"0的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。解图P1.31.5电路如图P1.5(a)所示,其输入电压"11和"12的波形如图(b)所示，二极管导通电压6o=O.7Vo试o+rI（+5V）MiiO—"12——6g/V]30.30气/V*30.300+"I-0R500Q(a)画出输出电压比的波形，并标出幅值0图P1.5解：心的波形如解图P1.5所示
