欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:51324270
大小:70.99 KB
页数:15页
时间:2020-03-21
《材料物理(李志林)简答题答案解析.docx》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、一、材料的电子理论1、说明自由电子近似的基本假设。在该假设下,自由电子在一维金属晶体中如何分布?电子的波长、能量各如何分布?自由电子近似假设:自由电子在金属内受到一个均匀势场的作用,使电子保持在金属内部,金属中的价电子是完全自由的;自由电子的状态不符合麦克斯韦-波尔兹曼统计规律,但服从费米-狄拉克的量子统计规律。分布:电子的势能在整个长度L内都一样,当0=L时U(x)=∞,以此建立一维势阱模型。一维势阱中自由电子运动状态满足的薛定谔方程为d2φdx2+4π2λ2φ=0,在一维晶体中的
2、解(归一化的波函数)为:φ=1Lsin2πλx(L为晶体长度)。在长度L内的金属丝中某处找到电子的几率为
3、φ
4、2=φφ*=1L,与位置x无关,即在某处找到电子的几率相等,电子在金属中呈均匀分布。自由电子的能量:E=h2n28mL2(n=1、2、3……)电子波长:λ=2Ln近自由电子近似基本假设:点阵完整,晶体无穷大,不考虑表面效应;不考虑离子热运动对电子运动的影响;每个电子独立的在离子势场中运动,不考虑电子间的相互作用;周期势场随空间位置的变化较小,可当作微扰处理。电子在一维周期势场中的运动薛定谔方程:d2φdx2+8π2mh2E-Uφ=0,方程的解为
5、φ(x)=eikxf(x)。自由电子近似下的E-K关系有:E=h22mλ2=ℏ22mk2,为抛物线。在近自由电子近似下,对应于许多K值,这种关系仍然成立;但对于另一些K值,能量E与这种平方关系相差许多。在某些K值,能量E发生突变,即在K=±nπa处能量E=En±
6、Un
7、不再是准连续的。近自由电子近似下有些能量是允许电子占据的,称为允带;另外一些能量范围是禁止电子占据的,称为禁带。2、何为K空间?K空间中的(2,2,2)和(1,1,3)两点哪个代表的能级能量高?K空间:取波数矢量K为单位矢量建立一个坐标系统,他在正交坐标系的投影分别为Kx、Ky、Kz,这
8、样建立的空间称为K空间。22+22+22>12+12+32,故(2,2,2)比(1,1,3)高。3、何谓状态密度?三维晶体中自由电子的状态密度与电子能量是何种关系?状态密度:自由电子的能级密度亦称为状态密度,即单位能量范围内所容纳的自由电子数。关系:三维,能级为E及其以下的能级状态总数为Z(E)=CE,式中C=4πV(2m)32h3为常数,即能级密度与E的平方根成正比;二维的Z(E)为常数;一维的能级密度Z(E)与E的平方根成反比。4、用公式f(E)=1expE-EfkT+1解释自由电子在0K和TK时的能量分布,并说明T改变时该能量分布如何变化。分布:
9、当T=0K时,若E>EF,则f(E)=0,若E≤EF,则f(E)=1。当T>0K时,一般有EF≫kT,当E=EF,则f(E)=12;若EEF,则当E≫EF时,f(E)=0;当E-EF10、量级,故可以忽略。1、为什么温度升高,费米能反而降低?P12当温度升高时,因为kT增大,有更多的电子跳到EF能级以上,且电子的最高能量更高,这些电子的能量升高是金属电子热容的来源。2、在布里渊区边界上电子的能量有何特点?P17-18在接近布里渊区边界时电子受周期性势场的影响显著,等能线向外凸出,dEdK比自由电子的小,在这个方向从一条等能线到另一条等能线的K增量比自由电子的大。3、画图说明导体、半导体、绝缘体能带结构的异同。P214、画出自由电子近似和近自由电子近似下的E-K曲线,并说明他们的区别,解释能带的概念。P15另见第一题后部分近自由电子近似下11、有些能量是允许电子占据的,称为允带;另外一些能量范围是禁止电子占据的,称为禁带。二、材料的晶体形态1、什么是点阵参数(晶格常数)?正方晶系和立方晶系的空间点阵特征是什么?晶胞的三个棱边长abc和晶轴xyz间的夹角abg。正方晶系:a=b¹c,a=b=g=90°(如b-Sn,Ti2O)立方晶系:a=b=c,a=b=g=90°(如Fe,Cr,Cu,Ag,Au)2、三种典型晶胞,符号,原子数,配位数,致密度。面心立方:fcc,4,12,74%。体心立方:bcc,2,8,68%。密排六方:hcp,6,12,74%。3、从非晶体和晶体的X射线衍射特征的区别解释其12、结构的区别。(自己组织语言)大体内容:晶体的X射线衍射强度在特定角度出现数个尖锐的衍射峰,即在
10、量级,故可以忽略。1、为什么温度升高,费米能反而降低?P12当温度升高时,因为kT增大,有更多的电子跳到EF能级以上,且电子的最高能量更高,这些电子的能量升高是金属电子热容的来源。2、在布里渊区边界上电子的能量有何特点?P17-18在接近布里渊区边界时电子受周期性势场的影响显著,等能线向外凸出,dEdK比自由电子的小,在这个方向从一条等能线到另一条等能线的K增量比自由电子的大。3、画图说明导体、半导体、绝缘体能带结构的异同。P214、画出自由电子近似和近自由电子近似下的E-K曲线,并说明他们的区别,解释能带的概念。P15另见第一题后部分近自由电子近似下
11、有些能量是允许电子占据的,称为允带;另外一些能量范围是禁止电子占据的,称为禁带。二、材料的晶体形态1、什么是点阵参数(晶格常数)?正方晶系和立方晶系的空间点阵特征是什么?晶胞的三个棱边长abc和晶轴xyz间的夹角abg。正方晶系:a=b¹c,a=b=g=90°(如b-Sn,Ti2O)立方晶系:a=b=c,a=b=g=90°(如Fe,Cr,Cu,Ag,Au)2、三种典型晶胞,符号,原子数,配位数,致密度。面心立方:fcc,4,12,74%。体心立方:bcc,2,8,68%。密排六方:hcp,6,12,74%。3、从非晶体和晶体的X射线衍射特征的区别解释其
12、结构的区别。(自己组织语言)大体内容:晶体的X射线衍射强度在特定角度出现数个尖锐的衍射峰,即在
此文档下载收益归作者所有