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时间：2020-03-21
《CMOS模拟集成电路设计复习题一.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、CMOS模拟集成电路设计复习题一1.以N型MOSFET为例，画出相应的I-V特性曲线，即IDS与VDS,VGS的关系，并标出MOSFET的线性区和饱和区范围，给出各区域成立的条件2.画出一个典型P阱CMOS工艺反向器的垂直剖面示意图，要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地电位3.什么是MOSFET小信号跨导，给出饱和区MOSFET小信号跨导的三种表达形式4.什么是MOSFET的亚阈区，指出亚阈区的电流与栅源电压的关系1.解释什么是体效应？在初步分析MOSFET的时候我们假设衬底和源级是接到地的。而实际上当VB2、之增加，这种体电位（相对于源）的变化影响阈值电压的效应称为体效应，也称为“背栅效应”2.解释什么是沟道长度调制效应？当沟道发生夹断后，如果VDS继续增大，有效沟道长度L'会随之减小，导致漏源电流Id的大小略有上升。这一效应成为“沟道……”4.图(a)是什么结构？图(b)忽略了沟道调制效应和体效应。如果体效应不能忽略，请画出Vin和Vout的关系曲线，并作出解释。5.图中MOS管的作用是什么？应该工作在什么工作区？即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关相对的，PMOS开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关6.计算电路的小信号增益7.画出下图的小信号等效电路，推3、导Rin的表达式8.
2、之增加，这种体电位（相对于源）的变化影响阈值电压的效应称为体效应，也称为“背栅效应”2.解释什么是沟道长度调制效应？当沟道发生夹断后，如果VDS继续增大，有效沟道长度L'会随之减小，导致漏源电流Id的大小略有上升。这一效应成为“沟道……”4.图(a)是什么结构？图(b)忽略了沟道调制效应和体效应。如果体效应不能忽略，请画出Vin和Vout的关系曲线，并作出解释。5.图中MOS管的作用是什么？应该工作在什么工作区？即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关相对的，PMOS开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关6.计算电路的小信号增益7.画出下图的小信号等效电路，推
3、导Rin的表达式8.
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