苯乙烯系电致形状记忆复合材料的结构与性能.pdf

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1、现代塑料加工应用20l0年第22卷第5期·8·M()DERNPIASTICSPR()CESSINGANDAPPIICATIONS苯乙烯系电致形状记忆复合材料的结构与性能胡贵陈龙刘庆吴智华(四川I大学高分子科学与工程学院,四川成都,610025)摘要:采用炭黑、氢化苯乙烯一丁二烯一苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)与聚烯烃熔融共混,制成具有电致形状记忆特性的复合材料(电致SMP)。研究了炭黑含量、过氧化二异丙苯、聚烯烃和形变条件温度、电压对这种电致SMP结构与性能的影响。结果表明,当炭黑含量达到2O(质量分数)左右时,电致SMP的体积电阻率降至l×

2、10。n·cm,导电网络趋于稳定;当温度升高至9O℃以上时,低密度聚乙烯/SEBS基电致SMP的形状记忆能力优于聚丙烯/SEBS基和高密度聚乙烯/SEBS基的。关键词:电致形状记忆材料聚乙烯聚丙烯炭黑氢化苯乙烯一丁二烯一苯乙烯嵌段共聚物StructureandPropertiesofStyreneSeriesElectro—InducedShapeMemoryCompositeMaterialsHuGuiChenLongLiuQingWuZhihua(CollegeofPolymerSci.andEng.,SichuanUniversity

3、,Chengdu,Sichuan,610065)Abstract:Theelectro—inducedshapememorycompositematerials(SMP)werepreparedbymeltblendingpolyolefinwiththermoplasticelastomerhydrogenatedstyrene—ethylene—bu‘-tadiene—styreneblockcopolymer(SEBS)andcarbonblack.Theeffectsofcarbonblack,DCP,polyolefinandde

4、formationconditions(temperatureandtheappliedvoltage)onthestructureandperformanceofelectro—inducedSMPwereinvestigated.Theresultsshowthatwhenthecarbonblackcontentisof20,thevolumeresistivityofelectro—inducedSMPiSabout1×1O。Q·emandtheconductivenetworkgetsstable.Whenmaterialsofe

5、lectro—inducedSMPareheatedto9O℃,thememoryperformanceofLDPE/SEBSSMPiSsuperiortothatofPP/SEBSandHDPE/SEBSSMP.Keywords:electro—inducedshapememorymaterial;polyethylene;polypropylene;car—bonblack;hydrogenatedstyrene—ethylene—butadiene—styreneblockcopolymer热致形状记忆材料(SMP)是指在室温以上量、

6、过氧化二异丙苯(DCP)、聚烯烃品种以及形变条变形,并能在室温固定形变且可长期使用,当再件(温度和电压)对电致SMP结构与性能的影响。升温至某一特定响应温度时,制件能很快回复初始形状的聚合物。这些聚合物通常又称为热收1试验部分缩材料。电致SMP材料就是在热致SMP材料的基础上加入导电物质,再通过导电生热致使完1.1原料及设备成热收缩。所以电致SMP可以应用在热致SEBS,牌号YH502,中国石化岳阳石油合SMP可应用的大部分领域中。本研究分别用聚丙烯(PP)、低密度聚乙烯收稿日期:2O1O—O5—25;修改稿收到日期:2O1O一06—25。

7、(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)与氢化苯乙烯丁二作者简介:胡贵,硕士研究生,主要从事高分子材料共混改烯一苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)热塑性弹性体共混物性和成型加工新技术和新方法研究。E—mail:hg500107@126.corn。作为S啪基材,炭黑(CB)作为导电填料,研究CB含胡贵等.苯乙烯系电致形状记忆复合材料的结构与性能成分公司橡胶厂;IDPE,牌号143,巴西石油化的情况相同,只是其断裂伸长率的增长顺序发生工公司;PP,牌号RP344,工业级,韩国大林公了变化,HDPE基的最高,其次是LDPE基的,司;HDPE,牌号6070

8、,中国石化燕山分公司;马最后是PP基的。来酸酐(MAH),分析纯,成都科龙化学试剂厂;比较表l可发现,DCP对HDPE基电致CB,工业级,上海Cabot公司;DCP,分析纯,上S

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