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时间:2020-03-20
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1、重庆理工大学电力电子技术期末考试一、填空题(每小题1分,共15分)1.对于普通晶闸管,在没有门极触发脉冲的情况下,有两种因素会使其导通,一是正向阳极电压UA过高,二是_____电压上升太快____________。2.为防止晶闸管误触发,应使干扰信号不超过_________不触发区________。3.由逆阻型晶闸管和整流管集成的晶闸管称为_______________逆导晶闸管_________4.单相全控桥能在Ⅰ、______4___________象限中工作。5.逆变失败是指工作在逆变状态的变流器由于
2、某种原因,出现了Ud和Ed_______________的状态。6.采用α1=π-α2配合有环流的控制的单相反并联(双重)全控桥式整流电路,当变流器Ⅱ工作在逆变状态时,变流器Ⅰ工作在_________________状态。7.常用的抑制过电压的方法有两种,一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。二是用_________________元件限制过电压的幅值。8.在整流电路中,晶闸管的换流属于_________________。9.若用集成触发电路KC04触发三相全控桥,则KC04的引脚1和1
3、5分别接至三相全控桥_________________的上下两只晶闸管。10.电压型单相桥式逆变电路中,与开关管反并联的二极管起着_________________和防止开关器件承受反压的作用。11.脉冲宽度调制(PWM)电路的调制比M愈高,输出电压基波幅值愈_________________。12.为了使电力晶体管安全、可靠地运行,驱动电路和主电路应该实行_________________。13.为防止过电压和抑制功率晶体管的du/dt,对功率晶体管需加接_________________。14.普通晶闸
4、管为半控型器件,在直流斩波电路中,由触发脉冲控制其开通,关断则由_________________完成。15.三相全控桥中,晶闸管的控制角的起算点在_________________。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题1分,共20分)1.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为( )。A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流2.为了减小门极损耗,晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压,
5、门极加( )。A.正脉冲B.负脉冲C.直流D.正弦波3.在GTR作为开关的电路中,若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象,则说明晶体管( )。A.失控B.二次击穿C.不能控制关断D.不能控制开通4.下列器件中为全控型器件的是( )。A.双向晶闸管B.快速晶闸管C.光控晶闸管D.功率场效应晶体管5.单相半波可控整流电路,带电阻负载,控制角α的最大移相范围为( )。A.0°~90°B.0°~180°C.0°~120°D.0°~150°6.单相半控桥,带大电感负载,直流侧并联续流管
6、的主要作用是( )。A.防止失控现象B.减小输出电压的脉动C.减小输出电流的脉动D.直流侧过电压保护7.单相全控桥,带反电动势负载,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ为( )A.π-α-δB.π-α+δC.π-2αD.π-2δ8.大电感性负载的三相半波整流电路,流过晶闸管的平均电流为( )。A.B.C.D.9.下述电路中,输出电压中谐波分量最小的是( )。A.单相全控桥B.三相半波整流电路C.单相半波整流电路D.三相全控桥10.三相全控桥,工作在有源逆变状态,则晶闸管所承受的最大正
7、向电压为( )。A.B.C.D.11.有源逆变电路中,晶闸管大部分时间承受正压,承受反压的时间为( )。A.π-βB.30°+βC.10°+βD.β12.采用三相全控桥的大型同步发电机励磁系统,运行在灭磁模式时,变流器的工作状态是( )。A.整流B.逆变C.待整流D.待逆变13.电压型三相桥式逆变电路,当采用纵向换相时,每个晶闸管的导通时间为( )。A.180°B.120°C.60°D.240°14.晶闸管串联时,为达到静态均压,可在晶闸管两端并联相同的( )。A.电阻B.电容C.电感D
8、.阻容元件15.下面常用的过电流保护电器中,动作速度排在第二位的是( )。A.快速熔断器B.过流继电器C.快速开关D.反馈控制过流保护16.单结晶体管同步振荡触发电路中,改变Re能实现( )。A.移相B.同步C.增大脉冲宽度D.增大脉冲幅值17.采用横向控制原理方式工作的三相全控整流桥的同步相控触发电路中,同步移相电路数为( )。A.6B.1C.2D.318.电流型逆变器,交流侧电压波形为( )。
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