半导体三极管和基本共射极放大电路的静态分析.ppt

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1、半导体三极管和基本共射极放大电路的静态分析半导体三极管的特性与识别一、半导体三极管（一）基本结构和类型1、结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极发射结集电结2、类型有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。（二）电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电

2、流IE。BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。1、载流子传输过程发射、复合、收集IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBOICEIBE2、各极电流关系ICE与IBE之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。3、电流放大系数BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管（三）特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBECEB实验

3、线路1、输入特性工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。2、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区

4、。IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC=IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IB>IC，UCE0.3V(3)截止区：UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0（四）主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的

5、变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=解：2.集-基极反向截止电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。BECNNPICBOICEO=IBE+ICBOIBEIBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应

6、增加。三极管的温度特性较差。4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以PC有限制。PCPCMICUCEICMU(BR)CEO安全工作区小结：1.三极管的结构是由二个PN结形成的，它的类型有PNP型和NPN型。2.三极管的电流放大作用，三极管的

7、输入、输出特性。3.三极管有电流放大的特性，三极管有三种工作状态：放大状态、截止状态、饱和状态。作业：见参考书2、P1024，P10312